晶盛机电12英寸碳化硅衬底进入验证阶段
4月14日,晶盛机电通过投资者关系活动记录表披露了公司在碳化硅衬底材料领域的最新技术进展与产能规划。公司围绕自主开发的碳化硅单晶生长设备,持续推进工艺优化与技术创新。
凭借自主研发的碳化硅单晶生长炉及不断优化的8-12英寸长晶工艺,晶盛机电已成功突破12英寸碳化硅晶体生长中的关键工艺难点,包括温场控制不均与晶体开裂等问题。目前,公司已实现12英寸超大尺寸碳化硅晶体的稳定生长,并建成12英寸碳化硅衬底中试产线。相关衬底材料已按照下游应用需求,向产业链客户提交样品进行验证。
在8英寸碳化硅衬底方面,晶盛机电正在加速推进全球范围内的客户验证工作,送样客户数量显著增加,验证工作稳步推进。同时,公司已获得来自国内外多个客户的批量订单,显示出市场对公司产品的高度认可。
为响应碳化硅产业在全球范围内的快速发展趋势与市场需求,晶盛机电已启动海外与国内并行的产能部署。公司正在马来西亚槟城建设8英寸碳化硅衬底产业化基地,并在银川同步推进配套晶体项目,从而构建“国内+海外”的双引擎产能体系。