三星电子启动HBM4大规模量产
2月12日，三星电子正式宣布，已开始向客户交付其新一代高带宽内存芯片HBM4，并进入量产阶段。
据官方消息，此次三星直接采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与4纳米逻辑工艺相结合，从量产初期即实现高良率与卓越性能，且无需进行额外的架构调整。
在性能方面，HBM4的稳定数据传输速率达11.7 Gbps，相较行业主流产品8 Gbps的水平提升了约46%，同时比前代HBM3E的最高9.6 Gbps性能高出1.22倍。其最大传输速率可扩展至13 Gbps，以应对日益增长的AI模型对数据吞吐量的需求。此外，单个堆栈的带宽已提升至3.3 TB/s，较HBM3E提升2.7倍。
三星电子CTO宋载赫表示，公司正在推进下一代zHBM的研发。该技术的核心在于将HBM以三维方式堆叠，并直接集成于XPU之上，从而提供成千上万的I/O通道。这种结构设计不仅显著提升带宽，还将信号延迟控制到原有水平的四分之一。