三星电子启动HBM4大规模量产
三星电子于2月12日正式宣布，已开始向客户交付最新一代高带宽内存芯片HBM4，并进入批量生产阶段。
三星在此次HBM4的量产中，采用了第六代10纳米级DRAM工艺（1c），并与4纳米逻辑制程相结合，从一开始就实现了良好的良率和卓越的性能表现，且无需对现有架构进行重大调整。
在性能指标方面，HBM4的数据传输速率可达11.7Gbps，比当前行业主流的8Gbps产品高出约46%。相较上一代HBM3E的最高9.6Gbps，提升幅度约为1.22倍。其峰值带宽可达13Gbps，旨在缓解AI模型对数据吞吐能力日益增长的需求。此外，单个堆栈的内存带宽提升至最高3.3TB/s，比HBM3E高出近2.7倍。
三星电子首席技术官宋载赫表示，公司目前正在研发下一代zHBM内存产品。该技术以3D堆叠结构为核心，将HBM直接集成于XPU之上，能够支持数万个I/O通道，从而显著提高带宽。这一架构上的创新，也有望将信号延迟降至当前水平的四分之一。