BQ25890 与 BQ25892:基于 MaxCharge™ 技术的 I²C 控制型 5A 快速充电器

2026-02-09 20:12:46
关注

BQ25890 与 BQ25892:基于 MaxCharge™ 技术的 I²C 控制型 5A 快速充电器

面向单节锂离子和锂聚合物电池的 BQ25890 与 BQ25892,是两款集成度极高的开关模式电池充电管理解决方案。这两款器件支持高达 14V 的输入电压范围,能够在 USB2.0、USB3.0 以及多种非标准适配器条件下实现高效的快速充电。

核心特性

  • 高效降压充电
    • 支持 1.5MHz 开关频率,提供最高 5A 充电电流。
    • 在 2A 和 3A 充电电流下,充电效率分别达到 93% 和 91%。
    • 优化设计适用于 9V 至 12V 高压输入。
    • 低功耗 PFM 模式支持轻载运行。
  • USB On-the-Go (OTG) 支持
    • 可调输出电压范围为 4.5V 至 5.5V。
    • 支持高达 2.4A 输出,工作频率可选 500kHz 或 1.5MHz。
    • 在 5V / 1A 输出条件下,升压效率可达 93%。
    • 具备精确的断续模式过流保护机制。
  • 多模式输入支持
    • 输入电压范围为 3.9V 至 14V,兼容 USB 端口及非标准适配器。
    • 输入电流限制范围为 100mA 至 3.25A,支持 USB2.0/USB3.0 标准。
    • 集成输入功率最大追踪(MPT)功能。
    • 支持多种 USB 适配器类型检测(SDP/CDP/DCP)。
  • 智能管理功能
    • 输入电流优化器(ICO)无需额外适配器即可提升输入功率。
    • 集成 IRCOMP 电阻补偿功能,改善电池放电效率。
    • 集成 11mΩ 放电 MOSFET,支持高达 9A 放电电流。
    • 集成 ADC 模块,支持电压、温度和充电电流监测。
  • 电源路径管理 (PPM)
    • 支持无电池或深度放电情况下的系统瞬时启动。
    • 窄 VDC 电源路径设计,实现类似理想二极管的运行。
  • 安全与保护
    • 电池温度检测功能,覆盖充电和 OTG 模式。
    • 内置热调节及热关断机制。
  • 高精度调节
    • ±0.5% 充电电压精度。
    • ±5% 充电电流精度。
    • ±7.5% 输入电流精度。

典型应用

  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 便携式网络终端设备

工作原理与系统集成

BQ25890 与 BQ25892 通过集成 MOSFET、电流检测机制及环路补偿电路,显著简化了系统设计。其内置的输入反向阻断 FET(RBFET)、高压侧 FET(HSFET)、低压侧 FET(LSFET)和电池 FET(BATFET),配合自举二极管,实现了完整的电源路径管理。

该器件支持多路输入源,包括 USB 主机端口、USB 充电端口和兼容 USB 的高电压适配器。在 BQ25890 型号中,MaxCharge™ 技术通过 D+/D– 与 DSEL 引脚实现 USB 协议握手,从而控制输入源的识别与切换。

输入电流优化器(ICO)能够在不触发过载的前提下,实时检测输入源的最大功率点,从而提升整体效率。此外,该器件支持高达 2.4A 的输出电流,并能在 4.5V 至 5.5V 范围内调节系统电压,符合 OTG 规范。

电源路径管理 (PPM)

PPM 功能确保在电池电量较低或缺失时系统仍可运行,通过调节系统电压略高于电池电压(但不低于 3.5V),维持关键负载供电。当输入电流或电压达到限值时,PPM 会自动减少充电电流,防止输入源过载。

充电管理

充电过程分为预充电、恒流和恒压三个阶段,系统在无需软件干预的情况下即可完成自动充电循环。当充电电流低于设定阈值时,充电过程将自动终止。一旦检测到电池电压低于再充电阈值,系统将重新启动充电程序。

安全机制与监控

内置多项安全机制,包括电池热敏电阻监控、充电超时保护、过压与过流保护等。当芯片结温超过 120°C(可编程)时,热调节机制将限制充电电流。STAT 引脚用于报告充电状态及异常,PG 引脚(仅 BQ25892)表示电源是否正常。INT 引脚可向主机系统发送即时中断信号。

设备还集成了 7 位 ADC,用于监测 VBUS、BAT、SYS 和 TS 电压,以及充电电流。QON 引脚支持 BATFET 的使能与复位控制,帮助系统从低功耗运输模式中恢复。

封装与物理特性

BQ25890 与 BQ25892 采用 24 引脚 4mm × 4mm 超薄 WQFN 封装,厚度仅为 0.75mm,适合高密度系统集成。

布局建议

为实现最佳性能,建议在 PCB 设计中采取以下布局策略:

  1. 输入电容应尽可能靠近 PMID 与 GND 引脚,减少铜走线长度。
  2. 电感器应紧邻 SW 引脚,走线应尽量短,以降低寄生电感和辐射。
  3. 输出电容应布置在电感器与 IC 附近,确保接地连接短且稳固。
  4. 模拟地与电源地应分别布线,并在 IC 下方单点连接。
  5. 所有去耦电容应靠近 IC 引脚,走线长度最小。
  6. IC 背面裸露焊盘应焊接至 PCB 接地层,并确保足够的热过孔以增强散热。

进一步的 PCB 设计参考可查阅 EVM 示例及 QFN/SON 封装应用报告。

您觉得本篇内容如何
评分

评论

您需要登录才可以回复|注册

提交评论

广告
提取码
复制提取码
点击跳转至百度网盘