我国首款MEMS磁通门传感器问世，技术跻身国际先进水平
2025年岁末，中国电子科技集团公司第九研究所传来重大技术突破消息：其团队成功研制出我国首款MEMS磁通门传感器工程化产品。这一成果标志着我国在高性能弱磁场传感器领域迈出了关键一步，为后续相关技术的发展奠定了坚实基础。
MEMS磁通门传感器作为一类高灵敏度的磁场检测设备，可精准捕捉外部微弱的直流或低频磁场变化，具备广泛的应用前景。其技术成熟后，将被应用于弱磁探测、姿态导航、电流检测等多个关键领域。
中国电科第九研究所：全国磁技术核心研发单位
该研究所位于四川省绵阳市，是全国唯一一家综合性磁应用技术研究机构，也是国家在磁性材料及器件领域的重要研发力量。作为中央直属事业单位，研究所长期承担国防电子装备中关键磁性元器件、微波毫米波器件的研制与生产任务。
其研究覆盖永磁、旋磁与软磁材料等各类磁性材料，并具备完整的磁器件研发能力，是国内磁技术领域的核心支撑单位。研究成果广泛应用于海、陆、空、天等多个国防领域，是国防工业体系中不可或缺的科研力量。2016年，该研究所正式加入中电科重庆声光电磁子集团，进一步强化了其在磁技术领域的实力。
图示为中国电科第九研究所研制的MEMS磁通门传感器。
在MEMS磁通门传感器项目启动之初，科研团队明确了研发方向，重点围绕微型化集成、薄膜磁心材料开发、MEMS制造工艺优化以及测试校准等关键技术展开攻关。
依托研究所自有的磁性微纳制造平台，团队联合国内优势资源，采用多重光刻、梯度电镀、磁心图案化设计与退火工艺等手段进行协同创新。在经历数十轮工艺迭代后，团队成功突破了薄膜磁心在微米级精度下的定位难题，并实现了超高厚度铜柱的高可靠性制备。
这些技术突破不仅使MEMS磁通门传感器的整体尺寸缩小超过50%，还显著提升了器件性能，推动高性能磁心的批量制造进程，促进了低噪声、微型化磁通门传感器在“产学研用”链条中的深度融合。
通过MEMS技术，中国电科第九研究所成功实现了磁传感器核心部件的微型化制造，攻克了从材料制备到器件设计的多个关键技术环节。该研究所推出的工程化产品，有效解决了传统高精度矢量磁传感器在体积大、功耗高和集成度低等方面的问题，整体技术水平达到国际先进。
随着电子装备向集成化、智能化方向演进，中国电科第九研究所将持续深耕磁传感技术应用场景，聚焦专用接口芯片设计、智能信号处理算法等关键技术的突破。
未来，研究所将致力于提供定制化的磁感知与探测解决方案，推动我国在高端磁传感器领域构建完整的材料—工艺—器件—应用生态系统，助力相关产业实现高质量发展。