士兰集宏8英寸SiC功率器件产线正式启动，总投资达120亿元
1月4日，厦门海沧区迎来了士兰微电子在第三代半导体领域的重要里程碑——8英寸碳化硅功率器件芯片制造产线正式通线。此次启动仪式由杭州士兰微电子股份有限公司主办，标志着该公司在碳化硅领域实现了从技术突破到规模化量产的实质性跨越。
该8英寸碳化硅芯片产线为士兰微电子自主研发，并具备量产能力。其在制造工艺上攻克了多项关键难题，特别是在8英寸SiC晶圆的工艺控制方面取得了显著进展，为公司在第三代半导体市场的竞争力奠定了坚实基础。
项目建设主体为厦门士兰集宏半导体有限公司，总投资高达120亿元人民币，分两期推进。项目建成后，预计可实现年产72万片8英寸SiC芯片的产能。其中，一期项目计划于2026年至2028年间逐步完成产能爬坡，最终达到年产42万片的规模。
二期建设预计投资50亿元，未来将与士兰明镓的6英寸SiC产线形成互补。通过供应链整合、技术共享和协同开发等手段，推动公司SiC业务的系统性发展。
该产线主要面向新能源汽车、光伏系统、储能设备、充电基础设施、大功率家电、AI服务器电源以及工业电源等多个关键应用场景。通过提供高效率、高功率密度的SiC器件，将有效助力终端客户提升产品性能与能源利用效率。