台积电2纳米(N2)制程技术如期进入量产阶段
据台积电官网最新信息显示，“逻辑制程”页面中关于2纳米制程的说明已更新，确认其2纳米（N2）技术已于2025年第四季度实现量产。
台积电表示，N2制程采用了第一代Nanosheet晶体管架构，成为目前在密度与能效方面最具竞争力的先进半导体技术。该技术节点在全制程范围内实现了性能与功耗的显著优化，有助于应对市场对节能运算日益增长的需求。此外，台积电还引入了低阻值重布线层以及高性能金属层间电容设计，进一步提升了2纳米制程的综合性能。
此前，台积电已公布N2工艺的关键性能数据，与前代3纳米制程相比，其晶体管密度提升约15%，在相同功耗条件下，性能提升可达15%；而在保持相同性能水平时，功耗可降低24%至35%。
据台湾媒体报道，按照当前规划，截至2025年底，台积电位于宝山与高雄的2纳米产线合计月产能预计可达4.5至5万片晶圆。至2026年，该产能将进一步扩展至每月10万片。