大联大世平发布基于安森美NCP5156x的双通道隔离驱动IC评估板方案
2025年12月9日，国际领先的半导体元器件分销商大联大控股宣布，其旗下世平集团正式推出基于安森美（onsemi）NCP5156x系列芯片的双通道隔离驱动IC评估板方案，以满足日益增长的工业驱动及新能源市场对高功率密度与高可靠性的需求。
图示1 - 大联大世平基于onsemi产品的IC评估板方案展示板图
近年来，随着碳化硅（SiC）等宽禁带半导体技术的广泛应用，高频开关在提升系统效率的同时，也带来了开关损耗增加、电磁干扰加剧及系统隔离要求提高等一系列挑战。为应对这些设计难题，世平集团依托安森美NCP5156x芯片推出双通道隔离驱动IC评估板，凭借其4.5A/9A的驱动能力与5kVRMS的电气隔离性能，显著提升了系统的开关效率和运行稳定性。
图示2 - 大联大世平基于onsemi产品的IC评估板方案应用场景图
NCP5156x是安森美推出的一款高性能双通道隔离栅极驱动器，专为驱动功率MOSFET和SiC MOSFET的高速开关应用而设计。该器件具备4.5A的拉电流和9A的灌电流能力，能够有效支持高频开关场景下对驱动强度的高要求。
该驱动器拥有出色的时序性能，传播延迟短且通道匹配度高，有助于提升系统效率并减少开关损耗。在安全方面，其输入与输出之间提供高达5kVRMS的电气隔离强度，并支持最高1500VDC的工作电压，为高压应用提供可靠保障。
NCP5156x具备灵活的配置选项，适用于多种拓扑结构，包括两个低侧驱动、两个高侧驱动，或带可编程死区时间的半桥驱动。通过ENA/DIS引脚，可以实现双通道的启用或停用控制，简化系统管理流程。此外，该驱动器还集成多项保护机制，如独立的栅极欠压锁定（UVLO）和可调死区时间控制，进一步增强系统可靠性。
为满足5kVRMS的隔离要求，评估板采用NCP51561型号，为功率器件提供稳定、可靠的驱动支持。其设计指南涵盖操作步骤、接口定义、电路原理图、PCB布局建议及完整物料清单（BOM），便于工程师快速完成系统设计与验证。
图示3 - 大联大世平基于onsemi产品的IC评估板方案方块图
该评估板主要面向光伏逆变器、电动汽车驱动、工业电机及云服务器电源等高压应用场景。通过集成高性能隔离驱动与全面保护机制，有效应对高频开关损耗、电磁干扰和系统隔离等设计挑战。评估板提供经过验证的参考设计、优化的布局方案及完整的物料清单，大幅降低研发门槛，加快产品上市进程。
核心优势
- 高灵活性设计，适用于双低侧、双高侧或半桥驱动拓扑结构；
- 每个通道均配置独立的UVLO保护机制；
- 输出电源电压范围为6.5V至30V，支持5V、8V用于MOSFET，13V和17V用于SiC MOSFET；
- 具备4.5A拉电流及9A灌电流能力；
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）>200V/ns；
- 典型传播延迟为36ns，最大延迟匹配度为5ns；
- 输入逻辑可通过ANB实现单输入或双输入模式控制；
- 支持3V至5.0V VDD电源输入，最高可支持30V的VCCA/VCCB；
- TTL兼容输入设计，支持高达18V的INA、INB和ANB逻辑输入；
- 配备板载微调电位器，支持死区时间编程；
- 提供多接口引脚，便于系统集成与调试；
- 支持MOSFET和SiC半桥测试配置；
- 输入侧最大可支持900VDC的功率级连接。
方案规格
- 输入侧电源电压范围：VDD 3.0V 至5.0V；
- 驱动侧电源电压范围：
- b1：5V UVLO版本，VCCA/VCCB：6.5V 至30V；
- b2：8V UVLO版本，VCCA/VCCB：9.5V 至30V；
- b3：13V UVLO版本，VCCA/VCCB：14.5V 至30V；
- b4：17V UVLO版本，VCCA/VCCB：18.5V 至30V；
- 逻辑输入电压范围：INA、INB、ANB脚位为0V 至18V；
- ENA/DIS VEN脚位逻辑输入电压为0V 至5.0V；
- 工作温度范围：Tj：−40℃ 至125℃。
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世平基于安森美 NCP5156x 系列双通道隔离驱动 IC 评估板介绍
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