大联大世平集团发布基于安森美NCP5156x芯片的双通道隔离驱动IC评估板方案
2025年12月9日,深耕亚太市场的国际领先半导体分销商大联大控股宣布,其旗下世平集团推出一款基于安森美(onsemi)NCP5156x芯片的双通道隔离驱动IC评估板方案。该方案旨在满足高功率密度与高可靠性应用需求,适用于新能源与工业驱动等关键领域。
图示1:大联大世平基于安森美产品的IC评估板方案展示板图。
近年来,随着碳化硅(SiC)等宽禁带半导体技术的广泛应用,工业与新能源领域对高频开关、电磁兼容性及安全隔离提出更高要求。为此,大联大世平依托NCP5156x芯片的高性能特性,推出双通道隔离驱动IC评估板,具备4.5A/9A驱动能力与5kVRMS的高等级电气隔离性能,显著提升了系统的开关效率和运行稳定性。
图示2:大联大世平基于onsemi产品的IC评估板方案场景应用图。
NCP5156x是安森美推出的一款高性能双通道隔离栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET和SiC MOSFET等高频开关应用而优化。其具备高达9A的灌电流与4.5A的拉电流,能够满足高频率、高功率密度设计中对驱动强度的严苛要求。
该器件具备良好的时序控制性能,包括短传播延迟和高通道间匹配度,有助于减少开关损耗并提升系统效率。此外,NCP5156x提供高达5kVRMS的电气隔离强度,支持1500VDC工作电压,确保在高压应用场景下的安全性和可靠性。
NCP5156x还支持多种拓扑结构配置,包括双低侧驱动、双高侧驱动或带可编程死区时间的半桥驱动。其ENA/DIS引脚可实现双通道驱动的独立控制,简化系统设计与调试。器件还集成独立的栅极驱动器欠压锁定(UVLO)和可调死区时间控制功能,进一步强化整体系统的可靠性。
为满足5kVRMS的隔离需求,评估板选用NCP51561型双通道隔离栅极驱动器,为各类功率器件提供稳定驱动。评估板配套提供完整的设计指南,内容涵盖操作流程、接口定义、电路原理图、PCB布局规范及完整物料清单(BOM),便于工程师快速搭建与验证系统。
图示3:大联大世平基于onsemi产品的IC评估板方案的方块图。
此评估板广泛适用于光伏逆变器、电动汽车驱动系统、工业电机驱动以及云服务器电源等高压高频应用场景。通过集成高性能隔离驱动与完善的保护机制,该方案能有效应对设计中常见的开关损耗、电磁干扰和安全隔离等难题。同时,评估板提供参考设计、优化布局建议及完整物料清单,显著缩短研发周期,加快产品上市进程。
核心技术优势
- 支持多种驱动配置:双低侧、双高侧或半桥结构;
- 每个输出通道具备独立的UVLO保护功能;
- 驱动电压范围涵盖5V、8V(常规MOSFET)及13V、17V(SiC MOS);
- 峰值拉电流达4.5A,峰值灌电流达9A;
- 共模瞬态抗扰度(CMTI)超过200V/ns,提升抗干扰能力;
- 传播延迟典型值为36ns,通道间延迟匹配度达5ns,脉宽失真控制在5ns以内;
- 支持TTL兼容输入,输入电压范围0V至18V,适用于INA、INB与ANB引脚;
- 支持通过板载微调电位器进行死区时间编程;
- 提供3位接头引脚用于INA、INB和ENA/DIS输入,2位接头用于ANB引脚;
- 支持MOSFET与SiC半桥测试。
输入电压范围支持600V-800VDC,最高可达900VDC。
方案规格
- 电源电压:输入侧VDD范围为3.0V至5.0V;
- 驱动器侧电压范围根据UVLO版本选择,分别为:
- b1:5V UVLO版本,VCCA/VCCB为6.5V至30V;
- b2:8V UVLO版本,VCCA/VCCB为9.5V至30V;
- b3:13V UVLO版本,VCCA/VCCB为14.5V至30V;
- b4:17V UVLO版本,VCCA/VCCB为18.5V至30V;
- 逻辑输入电压范围为0V至18V,适用于INA、INB及ANB引脚;
- ENA/DIS引脚电压范围为0V至5.0V;
- 工作温度范围为−40℃至+125℃。
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世平基于安森美NCP5156x系列双通道隔离驱动IC评估板介绍
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