杭州镓仁实现8英寸氧化镓同质外延技术突破
杭州镓仁半导体有限公司近期宣布在外延生长技术方面取得重要进展，成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延片的制备。据官方消息，该技术为全球首次实现，具有重要的行业意义。检测数据显示，外延片膜厚超过10微米，膜厚方差低于1%；同时，外延层的载流子浓度平均值达到1.79×1016 cm-3，显示出优异的材料质量。
氧化镓因其独特的物理特性，成为开发高可靠性功率器件的理想材料。在极端条件下，如高压（2000V以上）、高功率（百kW级）以及高辐射、宽温域、高湿度等复杂环境下，氧化镓器件仍能保持稳定运行。这使其在新能源汽车、光伏储能、智能电网、轨道交通、商业航天、5G通信等多个前沿领域展现出广泛的应用潜力。
与传统工艺相比，8英寸氧化镓同质外延技术大幅提升了单片晶圆上可制作的功率器件数量，从而有效降低了衬底、加工及封装等各环节的单位成本。此外，同质外延结构具有良好的晶格匹配特性，有助于减少晶格缺陷密度，优化器件的击穿电压、导通电阻和开关速度等关键电气性能。
此次镓仁半导体在8英寸氧化镓同质外延上的成功突破，不仅彰显了中国在第四代半导体材料研发领域的技术实力，也为全球氧化镓产业的快速发展提供了新的推动力。预计该成果将加速行业技术升级，推动全球半导体产业迈入以氧化镓为代表的新一代材料主导的发展阶段。