镓仁半导体实现8英寸氧化镓同质外延技术突破
近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布在氧化镓外延技术领域取得重要进展，成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延片的生长，这一成果在国际上尚属首次。
从检测数据来看，所制备的外延片膜厚超过10微米，膜厚分布均匀性方差σ低于1%；外延层的平均载流子浓度为1.79×1016 cm-3，显示出优异的材料质量。
作为第四代宽禁带半导体材料的代表，氧化镓因具备出色的物理性能，能够支撑高可靠性器件在高压、高功率、高辐射等极端条件下的稳定运行。其应用范围涵盖新能源汽车、光伏储能、智能电网、轨道交通、商业航天、5G通信等多个关键领域，市场潜力巨大。
此次8英寸氧化镓同质外延片的成功研发，使得单片上可集成的功率器件数量显著提升，从而有效降低衬底、加工与封装等环节的单位成本。由于外延层与衬底之间具有高度一致的晶格结构，可大幅减少晶格失配及缺陷密度，从而显著改善器件的击穿电压、导通电阻与开关响应速度等核心性能。
镓仁半导体此次的技术突破，不仅强化了中国在第四代半导体材料研发领域的国际竞争力，也将推动氧化镓产业链的技术升级，为全球半导体产业迈向“第四代”发展新阶段注入强劲动力。