三星电子启动碳化硅功率半导体量产准备工作
三星电子已启动碳化硅（SiC）功率半导体的量产准备流程，计划于2024年第三季度完成首批样品的生产。据业内消息来源显示，公司近期已采购关键原材料及相关组件，为量产做足前期铺垫。
首款投入量产的SiC器件为平面结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。作为一种高频、高效开关器件，MOSFET广泛应用于电力电子系统，用于控制和放大电信号。
三星电子已启动碳化硅（SiC）功率半导体的量产准备流程，计划于2024年第三季度完成首批样品的生产。据业内消息来源显示，公司近期已采购关键原材料及相关组件，为量产做足前期铺垫。
首款投入量产的SiC器件为平面结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。作为一种高频、高效开关器件，MOSFET广泛应用于电力电子系统，用于控制和放大电信号。
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