三星推出HBM4E全新供电架构，显著优化性能表现
据韩国媒体报道，三星计划自HBM4E产品量产年起，正式引入一种创新的供电结构。该方案通过重新设计芯片内部的供电网络，实现了供电架构的系统性升级。
当前HBM设计存在若干结构性挑战，其中供电布线复杂度高、供电节点过度集中是主要问题。在现有产品中，供电网络大多集中在基底芯片中介层附近的大型MET4金属区域，呈现出蜂窝状分布，而向HBM堆叠层供电的上层布线则逐渐变细。这种由宽幅金属块向窄径布线过渡的结构，容易形成供电瓶颈，如同道路并线时的交通拥堵。
为应对上述挑战，三星开发了供电网络分段技术。通过将原本的大尺寸MET4供电块拆分为四个独立区域，并对上层供电走线进一步分区，有效缓解了供电拥堵现象。优化后的布线路径更清晰、高效，大幅减少了从供电凸点到负载终端之间的冗余绕线。
根据三星公布的技术数据，在新的供电架构下，HBM4E的金属线路缺陷率相比上一代HBM4下降了97%，电压压降问题改善率达到41%。电压余量的提升不仅有助于芯片运行频率的进一步提高，同时也增强了整体的电气稳定性与可靠性。