imec 研究揭示高氧环境助力提升光刻效率
比利时校际微电子研究中心 imec 最近在实验平台中展示了一项重要发现：在高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）应用中，金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist, MOR）在高于常氧浓度的环境下，其烘烤过程表现出更显著的热膨胀效应。这一现象意味着，达到相同工艺效果所需的光刻曝光剂量可以降低，从而缩短曝光时间，提高整体光刻效率。
研究人员在测试中采用了 50% 的氧浓度环境，结果显示烘烤速率提升了 15 至 20%。这一改善在商用 MOR 材料与实验用 MOR 模型中均得到验证，表明高氧浓度策略具备推广至实际光刻流程中的潜力，为优化半导体制造中的光刻环节提供了新的研究方向。