浙江晶瑞实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性控制突破
近日，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（简称“浙江晶瑞SuperSiC”）借助自主建设的12英寸中试线，成功实现12英寸碳化硅衬底厚度总偏差（Total Thickness Variation，TTV）控制精度达到≤1μm，标志着在大尺寸碳化硅衬底加工技术方面取得重要进展。
此次突破是在建成国内首条12英寸碳化硅中试线后，晶盛机电研发中心与浙江晶瑞SuperSiC联合攻关的又一关键成果。目前，该企业的12英寸碳化硅衬底已实现小批量供货。
在高端封装中的中介层应用中，碳化硅衬底不仅需要具备优良的导热性能，还必须实现与芯片和基板的高精度键合。这要求碳化硅衬底的TTV与LTV（Local Thickness Variation）均控制在1μm以内。然而，由于碳化硅材料莫氏硬度高达9.5，几乎接近金刚石，其精密加工对设备和工艺提出了极高的要求，长期成为产业发展的技术瓶颈。
依托在12英寸硅片及蓝宝石加工领域积累的丰富经验，晶盛机电为浙江晶瑞SuperSiC建设了涵盖晶体加工、激光切割、减薄、抛光、清洗及检测等全流程的12英寸碳化硅中试线，并实现了整条产线加工与检测设备的完全国产化。
面对12英寸碳化硅TTV控制的行业难题，研发与工艺团队围绕减薄设备的刚性结构、研磨与抛光盘面形稳定性、减薄-研磨-抛光各工艺步骤对衬底面形的影响等关键点展开联合攻关，最终攻克技术难点，达成TTV≤1μm的工艺指标。
展望未来，浙江晶瑞SuperSiC将持续推进大尺寸碳化硅衬底的工艺优化与量产能力提升，加快12英寸碳化硅产品的稳定、规模化生产进程。