12月24日消息，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司宣布，成功开发出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片，并已正式启动批量供应筹备工作。
据介绍，该产品在关键性能指标上表现优异，外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。此外，这款产品的核心供应链实现了国产化协同，外延设备及衬底均由本土公司提供。
（JSSIA整理）
12月24日消息，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司宣布，成功开发出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片，并已正式启动批量供应筹备工作。
据介绍，该产品在关键性能指标上表现优异，外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。此外，这款产品的核心供应链实现了国产化协同，外延设备及衬底均由本土公司提供。
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