英飞凌扩展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 系列，引入超低导通电阻与新型封装方案
2026年1月12日，德国慕尼黑消息——全球领先的功率系统与物联网半导体解决方案供应商英飞凌科技（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布扩展其CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，推出全新封装形式。该系列产品专为提升汽车与工业电源应用中的系统效率与功率密度而设计。
此次发布的新封装形式包括Q-DPAK与D2PAK，涵盖在25°C条件下典型导通电阻（RDS(on)）从60 mΩ起的产品组合，为高功率系统设计提供灵活选择。
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心亮点之一是其创新的Q-DPAK封装，该设计通过优化顶部散热路径，显著提升了热管理性能与长期可靠性，适合对散热要求较高的应用。
该系列器件可广泛应用于车载充电器、高低压DCDC转换器、服务器与电信开关电源（SMPS）以及电动汽车充电系统等场景。其4 mΩ的超低RDS(on)特性使其在eFuse、高压电池隔离控制、固态断路器及固态继电器等对静态开关性能要求较高的应用中表现出色。凭借这一性能优势，工程师可设计出更高效、更小巧且更可靠的整体系统。
此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列在电气特性方面也展现出显著优势。其在25°C时的典型阈值电压（VGS(th)）为4.5 V，并具备优异的QGD/QGS比值，有助于增强对寄生导通（PTO）的抗扰能力。同时，该系列支持静态栅极电压至-7 V，瞬态栅极电压至-11 V，提供更强的电压容限，便于与其他器件兼容并提升系统设计的灵活性。
在开关性能方面，该系列产品具备出色的RDS(on) x QOSS与RDS(on) x Qfr指标，有助于有效降低硬开关与软开关拓扑结构中的开关损耗。特别是在硬开关应用场景中，其效率表现尤为突出。
供货信息
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列现提供Q-DPAK封装的4/7/20/33/40/50 mΩ，以及D2PAK封装的7/25/33/40/50/60 mΩ型号的样品。欲了解更多信息，请访问：http://www.infineon.com/coolsic-750v。