英飞凌 CoolMOS™ 8 助力长城电源实现更高功率密度与系统性能
慕尼黑，2026年1月8日 —— 全球领先的半导体企业英飞凌科技（FSE代码：IFX，OTCQX代码：IFNNY）凭借其先进的 CoolMOS™ 8 技术，在服务器电源管理领域取得重要突破。这项技术正在为数据中心等高性能应用提供更可靠、更高效的电源解决方案。
长城电源技术有限公司在采用英飞凌的 600V CoolMOS™ 8 高压超结 MOSFET 后，实现了更高功率密度与更优成本效益。该产品系列专为满足高功率等级电源系统的需求而设计，为提升系统能效与可靠性提供了关键支持。
英飞凌 CoolMOS™ 8 全系封装产品
CoolMOS™ 8 超结 MOSFET 技术不仅提升了电源系统的整体效率，还在设计灵活性和制造成本控制方面展现出显著优势。其适用于 LLC 转换阶段的优化设计，使其成为长城电源在高性能电源系统开发中的首选。
英飞凌高压功率开关产品线负责人 Christina Guggenberger 表示：“凭借 CoolMOS™ 8 技术，我们为客户提供高性能、高可靠性与成本效益兼备的功率器件。这不仅巩固了我们在全球市场的技术领导地位，也为数据中心等关键应用的电源系统设定了新标准。”
长城电源首席技术官金博士强调：“通过与英飞凌的深入合作，我们能够借助 CoolMOS™ 8 的优势，实现系统性能和成本控制的双重提升。当前，我们的电源供应单元（PSU）在功率密度和成本效益方面均取得显著进展。”
600V CoolMOS™ 8 技术在全球高压超结 MOSFET 市场中处于领先地位，为多个关键应用领域的低碳化发展提供了技术支持，包括充电器、适配器、光伏系统、储能系统、电动汽车充电设备以及不间断电源（UPS）。
与前代产品相比，CoolMOS™ 8 在性能方面实现多项优化。其栅极电荷比 CFD7 系列降低 18%，比 P7 系列降低 33%。更低的栅极电荷意味着 MOSFET 在开关过程中所需的电荷量更少，从而提升系统能效。同时，该器件具备更快的关断时间，热性能较上一代提升 14% 至 42%。
此外，600V CoolMOS™ 8 内置快速体二极管，提供 SMD-QDPAK、TOLL 和 ThinTOLL-8x8 等多种封装形式，满足消费电子和工业应用的广泛需求。
除了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件外，英飞凌的 CoolMOS™ 系列 MOSFET 仍在功率器件领域持续发挥重要作用。凭借其卓越的性能、可靠性、品质与性价比，该系列产品为各行业客户提供了兼具创新与成本效益的解决方案。
供货信息
600V 和 650V CoolMOS™ 8 高压超结 MOSFET 的样品现已开放订购。了解更多详情，请访问：www.infineon.com/coolmos8