Littelfuse推出200 V、480 A X4级超级结MOSFET，采用高性能SMPD-X封装
Littelfuse公司近日在其位于伊利诺伊州罗斯蒙特的研发中心宣布推出新型MMIX1T500N20X4超级结MOSFET。作为一家专注于工业技术的多元化制造企业，Littelfuse致力于为更安全、互联与可持续发展的世界提供关键部件。此次推出的MOSFET具有200 V耐压、480 A额定电流及1.99 mΩ的导通电阻（RDS(on)），适用于高功率密度应用，有助于提升导通效率、优化热管理和增强系统稳定性。
该MOSFET采用了先进的SMPD-X封装技术，结合顶部散热结构，显著提升热性能。与当前市场上的X4级MOSFET相比，该器件提供高达两倍的额定电流，且RDS(on)降低了63%，使其成为高电流应用中理想的单器件替代方案，减少了并联器件的使用。
MMIX1T500N20X4功率MOSFET
产品特性
- 具备200 V阻断电压和1.99 mΩ超低导通电阻，有效降低导通损耗；
- 最高480 A电流能力，减少并联组件数量，简化系统设计；
- 采用SMPD-X陶瓷基板隔离封装，提供2500 V隔离电压和0.14 °C/W的热阻，提高热效率；
- 栅极电荷（Qg）为535 nC，驱动功耗更低，适用于高频率开关应用；
- 顶部散热设计优化了热路径，降低系统复杂度。
这些特性使该MOSFET在提升功率密度的同时，也减少了整体系统中元件数量，从而提高设计效率、降低制造成本并增强系统可靠性。
适用领域
- 直流负载开关应用；
- 电池储能系统（BESS）中的高效功率管理；
- 工业及过程电源系统；
- 工业充电基础设施；
- 无人机及垂直起降飞行器（VTOL）平台的电力电子系统。
Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano表示：“这款器件使得设计人员能够将多个低电流并联MOSFET的配置替换为单一高电流MOSFET，不仅简化了系统设计，还提升了整体功率密度和PCB空间利用率，同时提高了系统可靠性。”
常见问答（FAQ）
1. 与现有方案相比，MMIX1T500N20X4在效率方面有哪些提升？
该MOSFET的低导通电阻（1.99 mΩ）配合480 A的额定电流，显著降低了传导损耗和发热，同时通过单器件替代多个并联MOSFET，减少了系统复杂度，提升了整体效率。
2. 这款MOSFET适合哪些具体应用？
MMIX1T500N20X4适用于对效率和可靠性要求较高的中低压大电流系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施，以及无人机和VTOL平台中的关键电源模块。
3. SMPD-X封装在散热和封装方面有哪些优势？
该MOSFET采用高性能陶瓷基板的SMPD-X封装，具备0.14 °C/W的热阻和2500 VRMS隔离能力，提高了系统的功率密度与安全性。顶部冷却设计简化了热管理流程，有助于减小系统尺寸并提升长期可靠性。
供货信息
目前，MMIX1T500N20X4提供两种包装形式：管装（20件）和卷带装（每卷160件）。如需样品或进一步信息，可通过Littelfuse全球授权的经销商提交申请。有关Littelfuse授权经销商的完整列表，请访问其官方网站。