三安碳化硅芯片成功应用于汽车领域，携手理想开启战略合作新格局
湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）近日在长沙举办了主题为“全‘芯’力量，共赴理想”的碳化硅芯片上车仪式。该活动标志着湖南三安在车规级碳化硅芯片的性能、可靠性和批量交付能力方面获得了市场的广泛认可。自2022年与理想汽车建立合作关系以来，双方在战略协同方面取得了实质性进展，合作正式迈入规模化与深度化阶段。
湖南三安总经理江协龙在致辞中指出，此次碳化硅芯片成功上车是公司从技术攻坚迈向市场引领的重要节点。他表示，湖南三安的全产业链垂直整合模式在产品质量和供应链稳定性方面具备明显优势。未来，公司将持续推进“车规化、平台化、高效能、全链自主”的发展战略，为像理想汽车这样的行业领导者提供更先进、更可靠的功率半导体解决方案，助力新能源汽车技术的持续演进。
理想汽车动力驱动研发副总裁刘强博士对此次合作成果给予了高度评价。他表示，与湖南三安的合作是理想汽车在核心电驱系统供应链上实现前瞻布局和深度协同的关键一环。他指出，湖南三安在第三代半导体技术领域的布局，以及其新一代SiC芯片展现出的卓越性能，为理想汽车纯电平台的开发与快速迭代提供了强有力的技术支撑。刘强博士表示，期待双方在更多前沿领域深化合作，共同探索创新技术应用。
在随后的技术交流中，湖南三安技术长许志维博士与理想汽车研发团队围绕碳化硅芯片在提升电驱系统效率、优化充电性能及未来平台化应用等议题展开了深入探讨。双方一致认为，湖南三安在8英寸SiC衬底技术、低缺陷密度先进工艺等方面的积累，将为理想汽车高压平台车型的开发与性能提升提供核心芯片支持。
为了纪念这一里程碑事件，湖南三安向理想汽车赠送了8英寸SiC MOSFET芯片成品。这一象征性礼物不仅展示了湖南三安在宽禁带半导体材料与芯片设计制造方面的技术实力，也体现了双方对未来合作拓展更广阔空间的共同期待。
在双方管理层和技术团队合影并展开进一步战略洽谈后，本次上车仪式圆满结束。湖南三安表示，将坚定不移地朝着“成为知名半导体研发、制造与服务平台”的愿景迈进。未来三到五年，公司将持续加大在车规级SiC MOSFET和GaN（氮化镓）制造平台领域的研发投入，加速8英寸产线产能爬坡与良率提升，进一步巩固其在第三代半导体产业中的竞争优势。
此次碳化硅芯片成功“上车”，不仅是湖南三安在产品交付方面的重要节点，也象征着与理想汽车携手推动新能源汽车技术进步的全新起点。湖南三安将继续以技术创新为核心动力，积极赋能绿色出行，助力智慧交通发展。
稿源：美通社