据半导体业界透露，SK海力士表示，已经确保了用于HBM制造的混合键合(Hybrid Bonding)工艺的可靠性。 SK海力士表示，将DRAM分成8层堆叠的第三代HBM (HBM2E)在采用混合键合工艺制造后，通过了所有的可靠性测试。（科创板日报）
据半导体业界透露，SK海力士表示，已经确保了用于HBM制造的混合键合(Hybrid Bonding)工艺的可靠性。 SK海力士表示，将DRAM分成8层堆叠的第三代HBM (HBM2E)在采用混合键合工艺制造后，通过了所有的可靠性测试。（科创板日报）
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