1月29日，深圳市龙岗区平湖街道挂牌一宗普通工业用地，宗地号为G05701-0090，土地总面积为86714.75平方米，建筑面积为105000平方米。本宗地的挂牌起始价2920万元，土地使用年限为30年，将于2月27日正式出让。
本宗地土地用途为普通工业用地，宗地产业准入行业为C3972半导体分立器件制造，宗地位于平湖街道新厦大道33号，将用于建设国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台。
根据出让合同，宗地规定的10.50万平的建筑面积，其中食堂1万平及厂房9.5万均不得转让，宗地须自《出让合同》签订之日起1.5年内开工，4年内竣工。
近年来，第三代半导体已经成为行业的重点研究方向之一，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，是支撑新能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术。
加快我国第三代半导体相关产业和技术发展，培育具有自主知识产权的第三代半导体产业链，突破国外对我国半导体技术的封锁，自主供应市场需求，是支撑国家重大战略需求、重塑全球产业技术格局的重大选择。
龙岗加快培育第三代半导体产业建设
深圳市作为中国集成电路及分立器件最大的应用市场区域，第三代半导体产业发展已久，已聚集众多研究机构、产业链企业，已有人才团队、技术的积累，深圳市一直重视、推动珠三角地区第三代半导体产业的发展，具有第三代半导体产业发展的沃土。
2021年深圳“十四五”规划曾指出，要重点开展高端电子化学品、第三代半导体材料、功能性有机发光材料等关键材料设计与制备工艺攻关。
2022年，《深圳市培育发展半导体与集成电路产业集群行动计划（2022-2025年）》提出，需加快完善集成电路设计、制造、封测等产业链，推进12英寸芯片生产线、第三代半导体等重点项目建设。
而深圳龙岗区是推进一系列硅基集成电路重大项目落地，布局前端研发到芯片制造的产业链条的重要区域之一。据悉，深圳“国字号”创新平台——国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建设项目今年开工。项目总投资33.5亿元，计划2025年建成。
根据此前的公示信息，项目将联合本土设计力量精准服务产业需求，为研发机构及企业提供良好的共享研发试验平台，突破第三代半导体核心材料、芯片、装备及应用技术，形成全链条全体系持续创新供给和配套能力，助力企业的研发及技术进步，提升第三代半导体总体技术水平。
项目建设面向全球的第三代半导体公共、开放、共享集成创新平台和国际领先的中试平台，吸引顶尖人才，攻克技术难关，产出重大科技成果，构建自主可控生态，塑造全球第三代半导体产业格局。