分立器件泛指二极管、三极管及半导体特殊器件。
C-V特性:电容-电压特性 |
低频互导:gm |
击穿电压:VDss |
反向击穿电压:VR |
极间反向电流:反向电流 |
正向压降:VF |
漏电流:IGss, IDss |
输入/输出特性:输入/输出特性曲线 |
输出电阻:RDS |
阈值电压:VGS(th) |
接口类型:Prober接口、Handler接口(16Bin) |
测试器件种类:7大类26分类 |
测试标准:GJB128半导体分立器件试验方法 |
测试电压范围:0~±1400V/2000V |
测试电流范围:0~±40A/100A/200A/500A |
测试速度:每小时1万个(连接分选机) |
漏电流分辨率:1.5pA |
电压分辨率:1uV |
电流分辨率:1pA |
采样速率:1M/S |
品牌:芯茂微 |
型号: LP2178A |
输出:5V 200MA |
可靠性等级:高可靠性 |
引线长度:长引线 |
标称电阻值:10KΩ |
精度等级:高精度 |
功率等级:最高6瓦 |
封装形式:2512 |
峰值焊接温度:260°C |
工作温度范围:-55°C到+170°C |
温度系数(TCR):±150 ppm/°C到±50 ppm/°C |
热阻:4°C/W到65°C/W |
焊接工艺:红外回流焊 |
焊接方式:E束焊接 |
电感:<2 nH |
电阻公差:±1% |
电阻范围:0.2毫欧到10毫欧 |
认证:AEC-Q200, RoHS3 |
重量:41mg到161mg |
零欧姆残余电阻:≤65μΩ |
零欧姆电流额定值:100A |
包装方式:TP-125 |
品牌:SIWARD(希华) |
品质因数(Q):≥ 13000 |
型号:XTL721-S349-005 |
存储温度范围:-55℃ ~ 125℃ |
封装尺寸:3215(3.2 x 1.5 mm) |
封装形式:SX-3215 |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
并联电容(Co):0.6 ~ 1.2 pF |
标记方式:激光打标 |
测量仪器:S&A 250B |
等效串联电阻(ESR):≤ 65 KΩ |
类型:贴片晶振 |
翻转温度:20 ~ 30 ℃ |
老化率:±3 ppm/年 |
负载电容:7 pF |
频率:32.768 kHz |
频率偏差(容差):±20 ppm |
频率温度系数:-0.04 ~ -0.036 ppm/℃² |
驱动电平:0.1 ~ 0.5 μW |
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