英飞凌扩充CoolSiC™ JFET产品线，推出适用于AI数据中心与工业应用的常关型器件
2026年6月8日，德国慕尼黑消息——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩展其CoolSiC™ JFET产品组合，以应对AI数据中心日益增长的电力需求，并顺应电源保护技术向固态化演进的趋势。此次扩展包括新增器件、封装选项及配置，旨在为高性能电源系统和用电保护系统提供更全面的支持。
继去年推出首批采用Q-DPAK封装的750 V和1200 V CoolSiC™ JFET器件后，该系列产品现已进入量产阶段。在PCIM Europe 2026展会上，英飞凌还将展示更多封装形式及常关型（normally-off）CoolSiC™ JFET器件，进一步强化其分立器件组合，以满足固态断路器（SSCB）、电池开关以及AI数据中心供电架构等应用需求，涵盖电源单元（PSU）、备电单元（PBU）以及中间总线转换器（IBC）热插拔和eFuse设计。
采用Q-DPAK封装的750 V和1200 V CoolSiC™ JFET器件已进入量产阶段。此外，英飞凌还推出了采用TO-247-4封装的1200 V CoolSiC JFET器件。
在诸如固态断路器和eFuse等应用中，功率器件通常处于导通状态，故障发生频率较低且持续时间短。因此，导通损耗、线性模型鲁棒性以及雪崩能力成为设计中的关键考量因素。为满足这些需求，英飞凌推出了采用TO-247-4封装的1200 V CoolSiC JFET器件，其导通电阻（RDS(on)）低至5.0 mΩ，可直接替代传统通孔封装的SiC MOSFET设计，无需重新布局PCB。
此外，英飞凌通过引入常关型CoolSiC JFET器件配置，将CoolSiC JFET与OptiMOS™低压Si MOSFET集成于同一封装中，进一步丰富了产品组合：
- 双路驱动（Dual Drive）配置分别连接SiC JFET与Si MOSFET的栅极，实现更全面的PCB级控制与更高的设计灵活性。该配置支持在VGS = 2 V条件下进行过驱运行，可将RDS(on)降低约10%。750 V产品型号提供TOLL和Q-DPAK两种封装，而1200 V型号则采用Q-DPAK封装。
- 共源共栅（Cascode）配置在内部集成SiC JFET的栅极，仅引出MOSFET的栅极，便于与标准栅极驱动器配合使用，实现即插即用操作，无需专用电路。该配置适用于对开关损耗和导通损耗均有较高要求的应用。750 V型号采用TOLL封装。
英飞凌通过新增常关型CoolSiC JFET器件配置，将CoolSiC JFET与OptiMOS™低压Si MOSFET集成于同一封装中，进一步扩展了产品组合。
目前量产的Q-DPAK封装CoolSiC JFET器件中，750 V型号的RDS(on)低至1.6 mΩ，1200 V型号则低至2.3 mΩ，均为同电压等级SiC器件中的最低水平。
所有器件均采用英飞凌的.XT互连技术和扩散焊工艺，显著提升了器件在脉冲和循环负载条件下的热性能与可靠性。这些器件已在实际工况下经过验证，即使在过载或故障情况下仍能稳定运行。基于CoolSiC JFET的固态保护方案，其开关速度比传统机电系统快数个数量级，有助于降低损坏风险、减少停机时间并延长系统寿命。
在AI数据中心中，这种快速故障隔离能力有助于保护高价值的计算与存储资源，同时提升功率密度与系统运行时间。在固态断路器（SSCB）、继电器和电池管理系统等工业应用中，CoolSiC JFET器件能够在快速切断故障的同时，确保长期导通状态下的可靠性。
目前，英飞凌已提供多种封装形式的CoolSiC JFET分立器件，包括Q-DPAK、TO-247-4和TOLL封装，以及常开型（normally-on）、双驱动（Dual Drive）和共源共栅（Cascode）等多种配置，覆盖广泛的导通电阻范围、栅极驱动方案和组装需求，延续了CoolSiC系列一贯的高可靠性。
供货情况
采用Q-DPAK封装的750 V和1200 V CoolSiC JFET器件将于2026年实现量产。采用TO-247-4封装以及双驱动和共源共栅配置的其他型号，目前已提供工程样品，并计划于2026年进入量产。
在即将于德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026展会上，英飞凌将在7号展厅470号展台展示其CoolSiC JFET分立器件产品组合。
如需了解更多信息，请访问：www.infineon.com/jfet