2026 亚洲化合物半导体大会在上海举行，聚焦AI时代宽禁带半导体技术新机遇
3月24日，亚洲化合物半导体大会（CS Asia）在上海浦东嘉里大酒店正式开幕。作为SEMICON China 2026的重要同期活动之一，本次大会吸引了来自全球化合物半导体产业链的众多企业高管与技术专家，围绕氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）等宽禁带半导体技术，深入探讨AI时代下的产业机遇与技术创新。
SEMI中国总裁冯莉在开幕致辞中表示，亚洲化合物半导体大会自2015年起源自“功率及化合物半导体国际论坛”，经过十余年的发展，已成为亚洲地区极具影响力的行业交流平台。SEMI China将持续发挥桥梁作用，推动产业链上下游的协同合作。
大会由芯粤能董事长肖国伟博士主持，多位行业领袖登台发言，包括新微半导体CEO王庆宇博士、英飞凌氮化镓业务部高级副总裁Johannes Schoiswohl博士、Axcelis总裁Russell Low博士、天岳先进CTO高超博士、芯粤能副总裁兼CTO相奇博士，以及Wolfspeed产品营销高级总监Jonathan Liao等。他们在材料研发、设备制造、器件设计及市场应用等关键环节，分享了最新的研究成果与实践经验。
随着AI计算需求的迅猛增长，数据中心能耗问题日益突出。业内专家预测，到本年代末，数据中心的用电量可能占全球总用电量的7%。而以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体材料，因其高功率密度、高转换效率和成本优化等优势，正逐步成为构建新一代高密度AI电源系统的理想选择。尤其是在电源供应单元、中间总线转换器和备用电池单元等场景中，宽禁带半导体的应用将进一步提升AI数据中心的能效和可持续性。
此外，交通电气化、可再生能源和工业自动化等领域的快速发展，对电力电子器件的性能提出了更高要求。可靠性和系统寿命已成为汽车和工业应用中的关键指标。GaN和SiC等技术的持续演进，将为构建高可靠性电力电子系统提供坚实支撑，助力各行业智能化与低碳化进程。
在设备与本土产业链发展方面，技术创新与产业升级同步加速。以Axcelis为代表的设备厂商，持续推动离子注入技术的优化，其产品广泛应用于多种功率器件，为碳化硅器件的高性能与高稳定性提供了保障。与此同时，国内化合物半导体产业也迈入高速增长阶段，8英寸碳化硅衬底已实现量产，12英寸衬底的研发也取得积极进展。氮化镓与碳化硅芯片的市场渗透率稳步上升，本土供应链的竞争力显著增强。
首日大会吸引了来自全球超过300位专业观众，覆盖材料、设备、制造与应用等全产业链环节，为产业链各参与方提供了高效的技术交流与资源对接平台，推动全球化合物半导体产业在AI驱动下的协同演进。
3月25日至26日，CS Asia还将举办四场专题论坛，围绕氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石等宽禁带及超宽禁带材料，以及三五族化合物半导体技术，探讨其在智能汽车、高效电源、AR、通信、激光及红外等前沿领域的应用进展。大会将重点关注AI时代化合物半导体的技术潜力与市场前景，覆盖材料、设备、器件和应用等全产业链条。