瑞萨电子发布全新GaN充电解决方案，实现500W高功率输出
2026年3月23日，中国北京讯 —— 全球知名的半导体解决方案提供商瑞萨电子（TSE：6723）宣布推出基于氮化镓（GaN）技术的半波LLC（HWLLC）平台及其四款控制器IC：RRW11011、RRW30120、RRW40120 和 RRW43110。此次发布进一步丰富了其交流/直流（AC/DC）转换器及电源适配器产品线。
该平台支持最高500W以上的功率输出，适用于广泛的物联网、工业设备和基础设施系统。全新HWLLC拓扑结构将高效、小型化电源设计能力从100W级拓展至500W级，为电动工具、电动自行车等设备提供新一代高速充电方案，并有效克服传统拓扑在尺寸、散热和效率方面的限制。
此次发布还引入了四款基于瑞萨专有零待机功耗（ZSP）技术的控制器IC。其中，RRW11011作为核心产品，集成了交错式功率因数校正（PFC）与HWLLC功能，专为实现高功率密度和高效率设计。该器件采用移相控制PFC技术，能够显著减少纹波、缩小元件尺寸、降低系统成本，同时增强电流均衡性能与系统稳定性。
该方案支持USB扩展功率范围（EPR）及其它可变负载充电系统，覆盖5V至48V宽电压范围，并有效控制工作温度。新组合还包含RRW30120 USB功率传输（USB PD）协议和闭环控制器（支持最高240W USB功率传输）、RRW40120半桥GaN栅极驱动器，以及RRW43110智能同步整流控制器。在240W USB EPR电源适配器应用中，该系统实现了高达3W/cc的功率密度和96.5%的峰值效率。
HWLLC技术宽达500W的输出范围使其适用于大尺寸显示器、吸尘器、电动工具、户外照明及部分医疗设备等高功率应用。新型AC/DC拓扑结构为设计人员提供更灵活的选择，使其可从100W USB-C设备向240W USB EPR技术过渡，大幅减小智能手机、笔记本电脑和游戏主机等设备的充电器体积。
瑞萨的紧凑高功率充电技术已被贝尔金（Belkin）应用于其GaN充电器产品。贝尔金Z-Charger采用了瑞萨ZSP芯片和SuperGaN®耗尽型（d-mode）GaN技术，实现了更高的效率与更小的体积。
Jenny Ng，Belkin Asia总经理表示：“贝尔金Z-Charger标志着超低待机功耗快充领域的重大突破。”
GaN技术助力电源效率与功率密度跃升
GaN技术是瑞萨新一代AC/DC设计实现效率与功率密度提升的关键。其出色的开关性能有助于减少磁性元件体积、降低损耗并改善热管理。瑞萨的SuperGaN®耗尽型技术采用共源共栅结构，相较其他GaN方案更具稳健性，驱动更便捷，且具备更高的阈值电压，可兼容标准硅基栅极驱动器。
这一优势使客户能够更快速地完成设计验证与量产，推动小型化、高效率电源产品的开发。
Rohan Samsi，Renesas GaN事业本部副总裁表示：“瑞萨的HWLLC生态系统将交错式PFC与谐振功率转换技术整合为单一协同方案，实现了超紧凑、宽范围AC/DC功率输出，同时兼顾高效率、低待机功耗与可靠集成支持。通过开发这四款先进控制器IC，我们打造了一个高度优化的协同生态系统，每个组件都旨在提升功率密度、优化热管理、降低电磁干扰并增强整体运行效率。”
与传统LLC方案相比，瑞萨新方案通过省去变压器绕组、减少元件数量，有效降低设计复杂度，并实现更紧凑的磁性元件布局。这一改进不仅加快了跨功率、电压及外形尺寸产品的设计复用，还增强了系统可靠性并简化了物料清单（BOM）管理。该高度集成的宽输入/输出离线解决方案，可协助客户打造更小巧、低温运行且符合严格能效标准的产品。
2026年3月22日至26日，瑞萨将在美国得克萨斯州圣安东尼奥举办的国际应用功率电子会议（APEC）1219号展位展示HWLLC解决方案。