SK keyfoundry推出450V至2300V SiC平面MOSFET工艺平台，斩获1200V新产品订单，正式迈入碳化硅代工新时代
韩国领先的8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近期宣布，成功开发覆盖450V至2300V宽电压范围的SiC（碳化硅）平面MOSFET工艺平台。这一平台已在高压功率器件领域展现出优异的可靠性与良率表现，标志着公司在化合物半导体领域迈出了关键一步。SK keyfoundry同时披露，已获得一家新客户的1200V SiC MOSFET产品开发订单，标志着其SiC化合物半导体代工业务正式全面启动。
- 开发出适用于450V至2300V电压区间的SiC平面MOSFET制程平台，确保器件在高电压环境下的稳定运行
- 针对新客户启动1200V SiC MOSFET产品开发，进一步推动SiC功率器件代工业务的拓展
SK keyfoundry推出的SiC平面MOSFET工艺平台，不仅覆盖从450V到2300V的广域电压，还通过多方面的工艺优化，实现了在高电应力条件下的稳定性和耐久性验证。这使其具备优异的热性能与高频响应能力，适用于高功率转换效率需求的工业和汽车应用。
在工艺流程方面，公司通过优化关键制程环节，实现了超过90%的良率，并显著提升了整体生产效率。同时，SK keyfoundry还提供“定制化工艺支持服务”，可根据客户的具体需求，灵活调整器件的电气参数和性能特性，满足多样化的产品开发需求。
随着该平台的成功落地，SK keyfoundry已获得一家专注于SiC器件设计企业的1200V产品订单，并启动了相关开发工作。该SiC MOSFET将被应用于工业系统，用于提升设备在高温环境下的热管理能力。在完成样品测试与可靠性评估后，计划于2027年上半年进入量产阶段。
此次SiC平面MOSFET平台的推出，是SK keyfoundry收购SiC专业厂商SK Powertech后，融合双方技术资源取得的首个成果。技术研发成果迅速获得实际订单，表明该平台已具备成熟的商业化能力，能够直接投入生产环节。
SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示：“此次SiC平面MOSFET工艺平台的开发，确立了我们在化合物半导体市场的独立技术领导地位。我们将持续扩展在高压功率器件领域的解决方案，以满足全球客户的多样化需求。”
关于SK keyfoundry
SK keyfoundry总部位于韩国，是一家专注于提供模拟与混合信号代工服务的晶圆代工厂。其产品广泛应用于消费电子、通信设备、计算系统、汽车电子及工业自动化等高增长市场。公司凭借灵活的工艺节点与丰富的产品组合，能够有效应对全球客户不断升级的技术需求。
如需了解更多详情，请访问：https://www.skkeyfoundry.com
稿源：美通社