Vishay推出1200 V SiC MOSFET功率模块，以行业标准SOT-227封装提升能效表现
近日，美国宾夕法尼亚州Malvern与中国上海同时发布消息，全球知名电子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）正式推出了五款1200 V SiC MOSFET功率模块：VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120。这些模块专为提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率转换效率而设计，并采用Vishay最新一代碳化硅（SiC）MOSFET技术，封装形式符合行业标准的SOT-227。
所有模块均采用单开关及低边斩波器配置，内置集成式软恢复二极管，能够显著降低反向恢复损耗，从而提升整体开关效率。这一优化设计使其适用于多种高能效需求场景，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电器、开关电源（SMPS）、直流/直流变换器、不间断电源系统（UPS）、暖通空调（HVAC）系统、大规模储能解决方案以及通信电源设备。
该系列产品采用紧凑型SOT-227封装，便于在现有系统中直接替代原有器件，无需调整PCB布局，为设计人员提供了一种“即插即用”的升级方案，有助于降低系统集成成本。此外，模块采用模压封装工艺，可提供高达2500 V（持续1分钟）的电气隔离能力，从而省去了散热器与组件之间额外的绝缘步骤，进一步优化了系统设计的成本结构。
在性能方面，该系列模块支持50 A至200 A的连续漏极电流，导通电阻低至12.1 mΩ。产品符合RoHS标准，具备低寄生电容和高开关速度特性，适用于高温操作环境，最高工作结温可达+175 °C，具备良好的热稳定性与可靠性。
器件规格表如下：
目前，VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120已开始提供样品，并已进入量产阶段，供货周期为13周。