SK Keyfoundry 发布 450V 至 2300V SiC 平面 MOSFET 工艺平台，赢得 1200V 新品订单，全面布局 SiC 代工业务
韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK Keyfoundry 近日宣布，成功开发出适用于 450V 至 2300V 电压范围的 SiC（碳化硅）平面 MOSFET 工艺平台。该平台已在高压工况下表现出优异的可靠性与稳定性，同时实现了 90% 以上的产品良率，显著提升了生产效率。
SK Keyfoundry 还确认，已从一家专注于 SiC 器件设计的客户处获得 1200V SiC MOSFET 产品的开发订单，标志着其在化合物半导体代工领域的全面布局正式启动。该平台不仅支持宽电压范围，还具备高度可调的电气参数和定制化工艺支持服务，可灵活应对不同客户的应用需求。
新开发的工艺将用于客户工业设备中的高温与高功率管理场景。在完成样品评估和可靠性测试后，SK Keyfoundry 计划于 2027 年上半年进入量产阶段。此次进展被视为公司在 SiC 领域技术整合的关键一步，尤其是在收购 SiC 专业公司 SK PowerTech 之后，双方的技术资源与制造能力得以深度融合。
技术研发与商业订单的同步落地，进一步验证了该平台已具备成熟的商业化能力，能够快速响应市场对高性能功率器件日益增长的需求。
公司高层表态
SK Keyfoundry 首席执行官 Derek D. Lee 表示：“SiC 平面 MOSFET 工艺平台的推出，体现了公司在化合物半导体领域确立的自主技术优势。我们将继续以高良率与高可靠性为核心，推动高压功率器件的多样化应用，服务全球客户在工业、汽车以及智能设备领域的升级需求。”
关于 SK Keyfoundry
SK Keyfoundry 作为一家总部位于韩国的专业模拟及混合信号代工服务提供商，为全球半导体企业供应广泛应用于消费电子、通信、计算、汽车及工业控制等领域的模拟与功率器件。公司凭借多样化的工艺节点与成熟的技术组合，持续应对行业客户不断演进的产品需求。
更多信息请访问：https://www.skkeyfoundry.com
稿源：美通社