全球首例！无贵金属直拉法成功制备3英寸(011)氧化镓单晶
进化半导体（深圳）有限公司旗下的苏州燎塬半导体有限公司近日宣布，其通过提拉工艺与热场优化技术，成功采用“无贵金属工艺”（PMF-Precious Metal Free）制备出直径达85毫米的3英寸(011)面β-Ga2O3掺锡n型导电单晶。
3英寸(011)面PMF工艺氧化镓单晶 图源：进化半导体
此次成果标志着国际上首次在不使用铂（Pt）、铱（Ir）、铑（Rh）等贵金属的前提下，实现3英寸(011)面氧化镓晶体的直拉法生长。同时，这也是目前通过直拉法获得的尺寸最大的(011)面氧化镓单晶。