英飞凌发布集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5，提升氮化镓技术易用性
2026年3月4日，德国慕尼黑——全球领先的功率系统和物联网半导体供应商英飞凌科技（FSE代码：IFX，OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列。该产品线扩充了英飞凌CoolGaN™器件组合，旨在进一步简化氮化镓（GaN）器件在复杂功率系统中的应用。
该系列包含四款型号：IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M 和 IGI60L5050B1M，均采用半桥拓扑结构，集成两个600V GaN开关、高低侧栅极驱动器及自举二极管。这种集成设计带来了紧凑、散热优化的功率级结构，有效减少了外部元件数量，缓解了GaN器件在快速开关时常见的PCB布局问题，并缩短了开发周期。
该解决方案充分发挥了GaN技术的优势，包括高频开关能力、低开关与导通损耗，以及高功率密度，为工程师提供更高效、更简洁的设计路径。
英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列通过集成式半桥架构，进一步提升氮化镓的易用性
英飞凌GaN业务负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN正在重塑电力电子领域的格局。英飞凌致力于提供可扩展、便于集成的解决方案，帮助客户更好地实现GaN技术的潜力。这次发布的新产品具备高速GaN性能、高度集成与高可靠性，有助于加快产品开发进程、缩小系统体积并提升能效，推动紧凑型电力电子设备的发展边界。”
该集成式半桥方案专为低功率电机驱动系统和开关模式电源（SMPS）设计，适用于空间受限的系统中，可减少磁性元件和无源元件的尺寸，提升整体效率和动态性能。其超快开关能力实现了98 ns的传播延迟，并具备极小的信号失配，确保在高频运行中具有可预测的时序表现。
为简化系统集成，该器件支持标准逻辑电平PWM输入，并仅需单一12V栅极驱动电源供电。快速UVLO恢复机制则有助于在启动及瞬态负载条件下维持系统稳定运行。为实现更优的散热管理，产品采用6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盘封装，支持高效散热并适用于无散热片设计。
此次发布的CoolGaN™ Drive HB 600 V G5系列，融合了成熟的GaN器件技术、系统级集成能力及深厚的功率转换专业知识，进一步巩固了英飞凌在GaN市场的技术领先地位。该系列为工业电子和消费电子领域的高效设计提供了有力支持，助力客户更便捷地实现GaN技术的规模化应用。