国产12英寸碳化硅减薄设备正式交付,打破国外技术壁垒

2026-02-06 22:46:43
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摘要 电科装备自主研制的的12英寸碳化硅晶锭及衬底减薄设备成功交付,突破大尺寸碳化硅精密加工技术,实现晶圆厚度偏差控制在1微米以内,达国际先进水平。

国产12英寸碳化硅减薄设备正式交付,打破国外技术壁垒

在第三代半导体制造装备领域,国内企业取得了重要进展。据《科技日报》2月4日披露,由电科装备旗下的北京中电科公司自主研发的首台套12英寸碳化硅晶锭与衬底减薄设备,已成功交付国内头部半导体企业。这标志着我国在大尺寸碳化硅材料的精密加工方面,实现了关键装备的自主可控。

此次交付的两套设备,分别针对碳化硅晶锭和衬底的减薄工艺进行优化设计。晶锭减薄设备采用了创新的自动化抓取与吸附搬运系统,提升了大尺寸晶锭在加工过程中的传输稳定性与效率,为批量生产提供了有力支持。而衬底减薄设备则搭载了自主研发的超精密空气主轴系统,其厚度偏差控制精度可维持在1微米以内,达到国际领先水平。

这一技术突破不仅填补了国内在高端碳化硅加工装备领域的空白,也为提升国内碳化硅衬底的产能和品质提供了坚实的技术支撑。随着碳化硅在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域的应用不断扩展,国产设备的成熟与推广将进一步推动我国第三代半导体产业链的自主化进程。

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