我国首推MEMS磁通门传感器，中国电科实现关键技术突破
2025年岁末，中国电子科技集团公司第九研究所（又称：西南应用磁学研究所，SIAM）在高性能弱磁场传感器研发方面取得重要进展，成功开发出首款国产MEMS磁通门传感器的工程化产品。作为能够探测微弱直流或低频磁场的高精度传感器，MEMS磁通门在弱磁探测、姿态测量与导航、电流检测等应用中具有广阔前景。
位于四川绵阳的中国电科第九研究所，是国内唯一的综合性磁应用技术研究机构，也是国家磁性材料与器件研发的核心单位。该机构长期承担国防电子装备中关键磁性元器件及微波毫米波器件的研发任务，是集永磁、旋磁、软磁材料与器件于一体的国家一类重点研究单位。其技术成果广泛应用于海陆空天各领域的国防装备系统，是国防工业中不可替代的重要科研力量。2016年，该所正式并入中电科重庆声光电磁子集团。
中国电科第九研究所研发的MEMS磁通门传感器。
在项目启动初期，科研团队聚焦于微型化集成、薄膜磁心材料制备、MEMS制造工艺、测试优化等关键问题，依托研究所的磁性微纳工艺平台，联合国内优势科研资源。通过多重光刻和梯度电镀工艺，结合磁心图案化设计与退火工艺优化等创新手段，经过数十轮工艺改进，团队逐步攻克了薄膜磁心的微米级精确定位、超高厚度铜柱的高可靠性制备等技术难点。
该系列传感器的体积缩减超过50%，性能指标达到新高度，同时实现了高性能磁心材料的规模化生产，推动了低噪声、微型化MEMS磁通门传感器在产学研用各环节的融合应用。
通过MEMS制造技术，中国电科第九研究所实现了磁传感器核心组件的微型化加工，突破了从器件设计到材料制备等多项关键工艺，最终成功推出首款国产MEMS磁通门传感器的工程化产品。该产品有效缓解了传统高精度矢量磁传感器在体积、功耗及集成度方面的问题，整体技术水平已跻身国际先进行列。
面对电子装备日益集成化与智能化的发展趋势，中国电科第九研究所将继续深入研究磁传感应用中的细分需求，重点攻克专用接口芯片、智能算法等关键技术，提供多样化磁感知与探测解决方案，助力构建我国高端磁传感器在材料、工艺、器件及应用层面的良性发展生态系统。