宏微科技GaN器件为人形机器人关节电机注入新动能
2025年12月4日，行家说三代半年会——碳化硅与氮化镓产业高峰论坛在深圳举行。江苏宏微科技股份有限公司首席技术官、上海宏微爱赛半导体有限公司总经理崔崧出席活动，与业界专家共同探讨宽禁带半导体产业的新机遇。
在论坛上，崔崧发表了题为《氮化镓器件赋能人形机器人关节电机发展》的演讲，深入解析了GaN技术在人形机器人领域的应用潜力与最新进展。凭借公司在半导体领域的深厚积累与行业洞察，其分享引发了与会嘉宾的广泛关注与热烈讨论。
GaN器件：人形机器人关节电机的性能“加速器”
人形机器人关节电机对器件的高频响应、高效能和高功率密度提出极高要求。而氮化镓器件凭借其出色的材料特性，正成为突破该领域技术瓶颈的重要手段。
在高频性能方面，GaN器件的开关速度远超传统硅基器件，有助于提升关节电机的动态响应能力，使机器人在复杂环境中实现更灵活、更精准的动作控制。其高效率特性也意味着更低的能量损耗，从而提高整体能效，延长电池续航时间，这对依赖电池供能的机器人系统而言至关重要。
同时，氮化镓器件具备高功率密度优势，可在紧凑的封装中实现更高的输出功率，为关节电机的小型化与轻量化设计提供可能，进一步优化人形机器人的结构设计和运动表现。
宏微爱赛：聚焦GaN器件研发，推动机器人产业升级
面对人形机器人产业的快速增长，宏微爱赛已提前布局。作为宏微科技在第三代半导体领域的重要平台，宏微爱赛专注于GaN芯片的设计、器件开发及系统应用。
目前，公司正围绕人形机器人关节电机的特殊需求，积极研发高性能GaN器件。依托在功率半导体领域多年的技术积累与研发实力，宏微爱赛致力于打造高适配性、高性能的GaN解决方案，为人形机器人的技术演进和性能提升提供有力支撑。
未来，宏微科技将继续深化在宽禁带半导体领域的技术探索，紧贴行业发展趋势，强化技术创新与产业链协同，推动GaN器件在更多新兴应用场景中的落地，为功率半导体产业的整体升级贡献坚实力量。