聚焦行业前沿！宏微科技GaN器件助力人形机器人关节电机革新
2025年12月4日，行家说三代半年会——碳化硅与氮化镓产业高峰论坛在深圳成功举办。江苏宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微爱赛半导体有限公司总经理崔崧受邀出席，与业内专家共同探讨宽禁带半导体技术的发展前景与产业机遇。
在论坛上，崔崧以《氮化镓器件赋能人形机器人关节电机发展》为题发表演讲。凭借在半导体领域的深厚技术积累与对市场趋势的深刻理解，他分享了氮化镓（GaN）器件在人形机器人中展现出的显著优势，并介绍了该技术的最新研究成果。演讲内容引发了与会嘉宾的广泛关注和热烈讨论。
GaN器件：提升人形机器人关节电机性能的关键推动力
人形机器人对关节电机提出了极高的要求，包括高频响应、高能效以及高功率密度。氮化镓器件凭借其优异的材料特性，正逐步成为突破这一技术瓶颈的核心手段。
在高频性能方面，GaN器件的开关速度远超传统硅基器件，可显著缩短电机的响应时间，使机器人动作更加灵敏与精准，从而更好地应对复杂环境下的动态需求。其高能效特性意味着在能量转换过程中损耗更低，能够有效提升关节电机的整体效率，延长机器人系统的续航能力——这一点对于依赖电池供电的机器人系统尤为关键。
此外，GaN器件具备高功率密度的特性，使其在有限空间内实现更高的输出功率，有助于关节电机的微型化与轻量化设计，进一步优化人形机器人的结构布局与运动表现。
宏微爱赛：深耕GaN技术，推动机器人产业升级
面对人形机器人产业的快速增长趋势，宏微爱赛已率先展开布局。作为宏微科技在第三代半导体领域的重要战略平台，宏微爱赛专注于GaN芯片的设计、器件开发及其在终端应用中的落地。
目前，公司正在针对人形机器人关节电机的特殊需求，积极研发高性能GaN器件。依托宏微科技在功率半导体领域多年的研发积累与技术优势，宏微爱赛致力于打造更具适应性、更高性能的GaN解决方案，为人形机器人向更高级别的智能化与自主化发展提供可靠支持。
未来，宏微科技将持续深化在GaN等宽禁带半导体技术方面的研究，紧跟行业发展趋势，推动技术革新与产业链协同，以优质的产品和系统解决方案赋能更多新兴应用领域，助力功率半导体产业迈向更高水平。