SK海力士全球首发12层堆叠HBM4内存，推动AI算力升级
在超级计算大会2025上，SK海力士首次展示其最新研发的12层堆叠HBM4内存芯片。该芯片单颗集成2048个I/O通道，不仅带宽显著提升，功耗效率也较前代提高了40%。相较HBM3，HBM4的运行速度增长超过60%，数据传输速率高达10Gbps，超越了JEDEC标准设定的8Gbps。
早在今年3月，SK海力士便已向英伟达等主要客户交付12层HBM4样品，并于9月完成产品开发，建立起全球量产体系。11月，公司与英伟达正式签署HBM4供应协议，单颗产品价格突破560美元，目前其HBM4产能已被全部预订，英伟达Rubin芯片和AMD MI400等新一代AI加速器均采用了该架构。
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SK海力士通过提升芯片堆叠层数和引入先进接口设计，实现带宽的跃升。此外，公司自主研发的Advanced MR-MUF技术有效抑制了芯片堆叠过程中的翘曲问题，显著增强了散热性能与系统稳定性。在超级计算大会现场，SK海力士与英伟达联合展出的GB300平台即采用了HBM4内存方案，具备2048个I/O通道、11Gbps数据传输速率和12Hi 24GB颗粒堆叠。
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市场数据显示，SK海力士在HBM领域的全球市场份额已达62%，占据英伟达超过90%的HBM产品供应。三星电子则凭借HBM3E技术进入英伟达供应链，而美光当前正处于HBM4设备采样阶段，其数据传输速率目前仅为9.2 GT/s。
随着SK海力士第六代HBM4内存技术的持续迭代及产能扩张，三星与美光在技术与市场层面所面临的挑战日益加剧。在未来的AI算力演进中，谁能率先在技术升级速度、制造效率提升以及客户合作关系上建立综合优势，将更有可能在竞争中占据主导地位。SK海力士与三星在这一领域的市场潜力依然广阔。