瑞萨电子(以下“瑞萨”是全球半导体解决方案供应商，TSE：6723、全球氮化镓（GaN）Transphorm，功率半导体供应商， Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）根据协议，今天宣布双方已达成最终协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm发行的所有普通股，比2024年1月10日Transphorm收盘价溢价约35%，比过去12个月加权平均价溢价约56%，比过去6个月加权平均价溢价约78%。对Transphorm的估值约为3.39亿美元。本次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供Gan(下一代功率半导体关键材料)的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)的内部技术、快速增长的市场业务范围，如可再生能源、工业电源和快速充电器/适配器。
Transphorm CEO Primit Parikh博士和瑞萨首席执行官柴田英利
作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求不断增加。为了应对这一趋势，相关行业正在向碳化硅发展（SiC）以Gan为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。这些先进的材料比传统的硅基装置有更广泛的电压和开关频率。在这种势头下，瑞萨已经宣布建立一条内部SIC生产线，并签署了为期10年的SIC晶圆供应协议。
瑞萨目前的目标是利用Transphorm在Gan方面的专业知识，进一步拓展其WBG产品阵容。Gan是一种新型材料，可以实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的形状尺寸。这些优点使客户系统具有更高效、更小、更轻的结构和更低的整体成本。因此，根据行业研究，Gan的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将利用Transphorm的汽车级Gan技术开发新的增强电源解决方案，如电动汽车X-in-1.电力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。
瑞萨首席执行官柴田英利说：“Transphorm是一家由加州大学圣塔芭拉分校领导的公司，扎根于Gan动力和经验丰富的团队。Transphorm Gan技术的加入增强了我们在IGBT和SiC领域的发展势头。它将促进和扩大我们关键增长支柱之一的功率产品阵容，使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。”“
Transphorm联合创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh博士和Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra博士说：“结合瑞萨的全球布局、广泛的解决方案和客户关系，我们很高兴为WBG材料行业的广泛应用铺平道路，为其显著增长奠定基础。该交易还将使我们能够为客户提供进一步的扩展服务，并为我们的股东带来可观的即时现金价值。此外，为了进一步发展Transphorm优秀的Gan技术和产品，它还将为我们优秀的团队提供一个强大的平台。”
交易明细
Transphorm董事会已一致批准最终协议，并建议Transphorm股东通过最终交易批准合并。在签署最终协议的同时，KKR持有约38.6%的Transphorm发行普通股 Phorm Investors L.P.与瑞萨签订了支持交易的常规投票协议。
该交易预计将于2024年下半年完成，但需要获得Transphorm股东的批准、监管机构的许可和其他惯例交易条件的满足。欲了解更多信息，请点击文章末尾阅读原文。
关于Transphorm， Inc.
Transphorm, Inc.是Gan创新的全球领导者，为Gan半导体设计和制造高性能、高可靠性的高压功率转换应用程序。Transphorm拥有1000多项自有或许可专利的功率Gan IP产品组合，首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压Gan半导体器件。Transphorm的垂直集成设备业务模式允许在设计、制造、设备和应用支持的各个开发阶段进行创新。Transphorm的创新突破了硅的限制，实现了99%以上的效率，提高了50%的功率密度，降低了20%的系统成本。Transphorm总部位于加州戈利塔，在日本会津和戈利塔设有制造工厂。
