英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3系列面向便携设备，显著降低PCB布板面积
英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布进一步丰富其CoolGaN™ BDS 40 V G3双向开关系列，推出两款全新产品——IGK048B041S 和 IGK120B041S。这两款器件可将印刷电路板（PCB）的布板面积减少最多82%，并减少一半的元器件数量，为现代智能手机、笔记本电脑及可穿戴设备等空间受限应用提供了更高效率的解决方案。
面向紧凑型消费电子设备的设计需求，新产品为电源工程师提供了更高的灵活性，在不牺牲性能的前提下实现更高效、更简化的设计。
英飞凌 CoolGaN™ BDS 40 V G3 产品系列
英飞凌科技氮化镓业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：“随着消费电子设备持续小型化，同时对电力需求不断增长，工程师正面临在更小空间内实现更高功率输出的挑战。全新的 CoolGaN™ BDS 设备通过将两个硅 MOSFET 的功能集成于单一芯片中，有效减少了元件数量，简化了 PCB 布局。这不仅使设计团队能够沿用现有驱动方案，还降低了重新设计成本，加快了产品上市进程，实现更精简、更具成本效益的电源路径。”
CoolGaN™ BDS 产品与传统氮化镓器件一样，兼容 5 V 栅极驱动。两款新型器件采用 2.1 x 2.1 mm² 和 1.7 x 1.2 mm² 的 WLCSP 芯片级封装，专为高空间限制的设备而设计。
其中，IGK048B041S 的导通电阻（RDS(on)）为 4.2 mΩ，而 IGK120B041S 为 9 mΩ。两款器件均展现出优异的开关与漏电流表现，其栅极电荷比同类产品低约 40%，有助于实现更快的开关转换、更低的开关损耗以及更高的快充效率。
此外，CoolGaN™ BDS 的双漏极关断漏电流比市场上其他产品低 85% 以上，凸显氮化镓在漏电控制方面的天然优势。这些性能优势有助于降低系统温度、提升长期可靠性，并满足日益严格的安全标准。
与依赖体二极管可能导致反向电流的硅 MOSFET 不同，CoolGaN™ BDS 具备真正的双向电压和电流阻断能力，对于 USB 过压保护等应用至关重要，可有效防止意外反向电流，保护下游敏感组件。
该系列器件还适用于多轨电源架构中的负载开关与电源多路复用功能，适用于需要精确控制多供电轨之间电流方向的应用。
此次 IGK048B041S 和 IGK120B041S 的发布，与此前推出的 IGK080B041S 共同构成完整的 CoolGaN™ BDS 40 V G3 产品线，覆盖从小型可穿戴设备到高性能笔记本电脑的广泛移动电源需求。
在过去一年中，英飞凌已推出超过 40 款氮化镓新产品，成为市场中高质量 GaN 解决方案的首选合作伙伴。公司正在推进基于 300 毫米晶圆的可扩展氮化镓制造工艺，首批样品已开始交付。这一平台显著提升了产能，加速了高性能 GaN 器件的供应，进一步巩固了其在氮化镓市场的领导地位。
供货情况
IGK048B041S 和 IGK120B041S 目前已通过英飞凌授权分销渠道供货。更多产品信息、数据手册与采购选项，可通过访问 官网链接 获取。