ITC 终裁英诺赛科未侵权，氮化镓器件可继续在美国市场销售
2026年5月8日，英诺赛科对外公布，美国国际贸易委员会（ITC）就第337-TA-1414号调查作出最终裁定，认定英诺赛科目前在美国市场销售的氮化镓（GaN）功率器件未侵犯英飞凌的相关专利，相关产品可继续在北美市场自由进口与销售。
ITC全体委员一致确认，英诺赛科当前产品未涉及英飞凌持有的美国专利号9,070,755（电极设计）和9,899,481（封装设计）的侵权问题。其中，仅481号专利的两项权利要求被判定有效，且所涉产品为英诺赛科早已停产并退出市场的型号。
此次裁定意味着，美国国际贸易委员会未对英诺赛科当前的进口和销售活动施加实质性的限制。公司表示，将继续保持对北美及其他地区客户的稳定供货，确保其氮化镓功率器件的全球供应不受影响。
ITC的裁定不仅确认了英诺赛科产品的技术独立性，也有效遏制了英飞凌通过诉讼手段试图压制市场竞争的策略。业内普遍认为，功率半导体行业的发展应建立在技术创新与产品性能的基础上，而非依赖于无实据的法律攻势。
消息来源：英诺赛科 INNOSCIENCE