（8月10日）晚间，中国&全球领先的MEMS和功率芯片代工企业芯联集成，发布2026年上半年业绩报告，主要财务数据有：
上半年，芯联集成实现营收45.62亿元，同比增长30.53%；归母净利润2.78亿元，同比增长263.4%；归母扣非净利润-6512.96万元，同比减亏87.84%；基本每股收益0.03元。
报告称，芯联集成上半年业绩实现大幅增长，主要由于：
（1）AI 业务营收同比增长 84.31%，在 AI 基建和光互连领域，公司布局了完整的技术平台和产品矩阵；在AI 终端方面，构筑了从环境感知到供电保障的完整链路能力；
（2）车载业务作为公司核心业务基本盘，依托市场和技术的先发优势，业务规模持续做大，收入同比增长 3.53%。公司产品覆盖主驱、OBC（车载充电机）、底盘、车身、热管理等，覆盖国内九成以上新能源车企。
（3）高端消费电子营收同比增长 31.76%，公司产品已覆盖 MEMS 麦克风、激光雷达驱动芯片 VCSEL 光源、IMU 运动传感芯片等，从环境感知到稳定供电，相关产品已嵌入多种 AI 终端设备；
（4）工控业务营收同比增长21.29%，光伏、储能混碳功率模块、工商业储能模块已批量交付。
2026 年上半年，芯联集成实现毛利率12.71%，同比提升9.17个百分点，公司研发投入 9.05 亿元，占营业收入比例19.84%，公司新增获得发明专利等 74 项，累计已获得发明专利等知识产权 648 项，构成了公司核心竞争力的重要壁垒。
芯联集成成立于2018年，2023年科创板上市，是一家专注于功率、 传感和传输应用领域，提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商。
目前，芯联集成拥有 MEMS、功率、模拟 IC、MCU、光互连五大主要技术方向，围绕新能源汽车、AI、工控、高端消费等领域的产品需求持续开展先进工艺与技术研发。在MEMS领域，以市场份额计算，芯联集成是中国大陆本土最大的MEMS芯片代工厂。
芯联集成的产品方向主要包括依托MEMS 技术开发的传感信号链芯片，以 SiC MOSFET、GaN HEMT 为主的功率器件和模组，采用BCD技术研制的模拟 IC，以 MCU/DSP 为主的数模混合芯片，以 VCSEL、SiPh、EML 为主的光互连芯片，以及相关的模组封装产品等。
AI业务增速迅猛，以MEMS&功率芯片技术为根基布局AI电源+光互联，MEMS OCS完成终端客户验证
从上文看到，上半年芯联集成 AI 业务板块实现高速增长，营收同比增速高达 84.31%，是公司所有业务线中增速最快的核心板块。
当前，芯联集成正围绕 AI 算力基础设施的核心需求，以往期MEMS技术、功率芯片技术积累为根基，深度布局 AI 数据中心电源与 AI 光互连两大高潜力赛道，搭建起体系化的技术与产品矩阵。
在 AI 数据中心光互连领域，芯联集成已完成全技术路线的深度布局，覆盖 VCSEL、磷化铟（InP）、硅光、薄膜铌酸锂（TFLN）、硅锗（SiGe）、MEMS 光交换（OCS）六大核心技术方向，构建起从有源光芯片、硅光芯片到配套电芯片，再到异质集成封装的完整光互连技术平台，可支撑 AI 算力集群高速率、低时延的大规模光互联传输需求。
其中，MEMS 光交换（OCS）已完成终端客户验证。
在 AI 数据中心电源领域，芯联集成针对数据中心从机架到芯片级的多层次供电需求，已构建起功率半导体器件与电源管理芯片协同的完整技术体系：功率半导体端覆盖硅基器件、氮化镓（GaN）、碳化硅 MOSFET、碳化硅 JFET 全品类；电源管理芯片端布局了 180nm BCD、90nm BCD、55nm BCD 多制程工艺平台，可全面适配 AI 算力集群的高功率、高密度供电场景。
芯联集成的MEMS传感信号链布局
在MEMS传感信号链领域，2026年上半年，芯联集成完成多项布局。
其中，应用于 AI 数据中心光互连的 12 寸硅光和 90/55 纳米锗硅工艺，可以满足800G、1.6T以上光模块中硅光和跨阻放大器和激光驱动芯片的工艺需求。适配 AI 数据中心的交换芯片完成验证进入小批量试制。
应用于 AI 数据中心光模块的 VCSEL 芯片验证完成进入小批量试制。公司打造了国内稀缺低噪音信号链工艺平台，可以满足各类信号链芯片，如ADC/DAC，音频芯片，运放和各类传感器信号调理芯片的高性能要求。
传感信号链方面，公司完善 MEMS 全品类信号处理技术布局，MEMS 等传感信号链产品包含硅麦克风、光源 VCSEL 芯片、压力传感、惯性传感器等。
其中应用于高端消费、新能源汽车的第三代麦克风进入量产，第四代麦克风完成初步验证进入小批量试制；车载和消费类多轴运动传感器规模量产；车载 VCSEL 芯片大规模量产。
200亿扩建新产线，产能将超50万片/月，覆盖硅光、MCU、DSP等芯片
今年 6 月，芯联集成正式启动总投资额约 200 亿元的四期生产项目，核心规划建设一条月产能 5 万片的 12 英寸车规级数模混合芯片生产线，进一步扩大晶圆制造的产能规模与技术层级。待四期项目建成投产后，叠加此前已建成的三期晶圆产能，公司整体晶圆制造总产能将突破 50 万片 / 月（折合 8 英寸计算），产能规模与制造能力实现大幅跃升。
技术与产品布局上，四期项目聚焦多个高价值赛道的核心工艺平台，具体覆盖 55～28nm 车规级 MCU 及 AI 端侧 DSP 芯片、90nm 数模混合芯片、55nm AI 服务器高频电源管理芯片、55nm 硅光芯片、55nm SiGe 跨阻放大器和激光驱动芯片，全面适配车规、工业、AI 算力三大核心领域的芯片制造需求。
