沈阳拓荆半导体设备产业化基地建设提速

沈阳拓荆半导体设备产业化基地建设提速

沈阳高新区近日发布消息称，位于浑南区智能制造产业园的沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目，现已进入主体结构收尾的关键阶段，施工现场正集中资源推进机电系统安装。

该项目总投资额达20亿元人民币，总建筑面积约15.6万平方米，主要由研发中心与洁净生产厂房构成，是集高端设备研发与制造于一体的综合性基地。根据建设规划，7月中旬将完成全部主体结构封顶，年底前实现幕墙封闭，为2025年室内精装修及园林绿化工作提供保障。整个项目预计在2027年底正式竣工并交付使用。

作为承载国产高端芯片制造核心装备研发与生产的重点项目，该项目落地后将专注于薄膜沉积设备的研发与产业化，着力弥补当前国内半导体设备产能的不足，显著增强本土高端芯片制造设备的自主供应能力。项目建成后，沈阳本地半导体设备产能有望提升至当前水平的四倍，全面支持PECVD、SACVD及HDPCVD等先进薄膜沉积技术的产业化落地，进一步推动企业业务拓展与产业生态的完善。