沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目建设进入关键阶段
近日，位于沈阳浑南区智能制造产业园的拓荆高端半导体设备产业化基地项目建设迎来重要进展。根据沈阳高新区官方消息，当前项目已进入主体结构收尾的关键阶段，并正集中力量推进机电安装工作。
该项目总投资额达20亿元，整体规划建筑面积为15.6万平方米，由研发中心与洁净厂房两大核心区域构成。根据既定施工计划，预计在7月中旬实现全部结构封顶，年底前完成幕墙系统安装，为后续室内部装和绿化工程提供坚实基础。项目预计于2027年底全面竣工并交付使用。
作为承载芯片制造关键设备研发与制造的重要平台，该项目投产后将重点聚焦薄膜沉积设备的前沿技术研发和规模化生产。这将有效缓解国内高端芯片制造装备产能不足的问题，增强我国在高端半导体制造设备领域的自主供给能力，对构建自主可控的半导体产业链与供应链体系具有重要意义。
项目投入运营后，预计沈阳地区的相关制造能力将较当前提升三倍以上，有力支持包括PECVD、SACVD、HDPCVD等多种高端薄膜沉积技术产品的产业化落地，同时为企业的持续扩张与业务升级提供强有力支撑。