三菲化合物半导体启动20亿元光芯片制造基地建设
据“太仓发布”官方公众号披露，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目已于4月8日成功签约，选址城厢镇。该项目总投资高达20亿元，其中一期工程投资10亿元，建成后将显著提升区域产业层次，推动未来战略性新兴产业的发展。
该项目聚焦InP基激光器及光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造，旨在构建覆盖外延生长、光芯片加工与光电系统集成的完整产业链。一期工程预计于2024年8月动工，2028年正式投产，项目全面达产后年产值有望突破10亿元。
据“太仓发布”官方公众号披露，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目已于4月8日成功签约，选址城厢镇。该项目总投资高达20亿元，其中一期工程投资10亿元，建成后将显著提升区域产业层次，推动未来战略性新兴产业的发展。
该项目聚焦InP基激光器及光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造，旨在构建覆盖外延生长、光芯片加工与光电系统集成的完整产业链。一期工程预计于2024年8月动工，2028年正式投产，项目全面达产后年产值有望突破10亿元。
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