三菲化合物半导体光芯片制造基地落户太仓城厢镇，总投资达20亿元
据“太仓发布”公众号披露，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目已于4月8日正式签约，落户江苏省太仓市城厢镇。该项目计划总投资额高达20亿元人民币，其中一期工程投资10亿元，建成后将显著推动当地产业升级及未来产业的发展。
该项目主要聚焦于InP激光器与光电探测器芯片、以及GaAs激光器芯片的研发与制造。其目标是构建涵盖外延生长、光芯片制造与光电融合的完整产业链体系，实现技术集成与生产协同。
按照规划，项目一期预计在今年8月启动建设，并有望于2028年正式投产运行。项目全面达产后，预计年产能将超过10亿元，为区域经济发展注入新的动能。