高性能二维半导体材料研发取得关键进展
国防科技大学前沿交叉学科学院联合多家科研机构，近日在新型高性能二维半导体材料的晶圆级制备与可控掺杂技术方面取得重要成果。这项研究为后摩尔定律时代的自主可控芯片技术提供了潜在的材料基础与器件解决方案。
研究团队采用化学气相沉积（CVD）方法，在液态金/钨双金属薄膜衬底上成功制备出晶圆级、可调控的单层 WSi2N4 半导体薄膜。该材料不仅具备良好的化学稳定性，还表现出优异的结构均匀性。
通过优化工艺条件，研究人员将单层 WSi2N4 的畴区尺寸提升至亚毫米级别，其生长速率相比现有文献报道值提高了约三个数量级，显著提升了材料的可扩展性和制备效率。
测试结果显示，这种新型材料作为高性能 P 型沟道材料，具备在二维互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路中应用的潜力，可能推动下一代低功耗、高性能电子器件的发展。