第十六届中国国际 纳米技术产业博览会
2026年10月21-23日 苏州国际博览中心
中国国际纳米技术产业博览会（简称“纳博会”）自2010年举办首届以来，已连续在苏州工业园区成功举办15届，累计邀请169名国内外院士（其中诺奖得主3人）、177616位参展参会嘉宾、8250多家参展企业，论坛报告达3578场。CHInano 2026将于2026年10月21-23日再度启航，为全球产业界搭建洞察趋势、汇聚资源、驱动合作的核心平台。
展商推荐
展位号：222
艾科威半导体装备（苏州）有限公司
公司介绍
艾科威半导体装备(苏州)有限公司成立于2025年7月，是湖南艾科威的全资子公司。母公司自2015年成立以来，已成为国家级高新技术企业，专注半导体装备研发、生产与服务，业务覆盖集成电路、分立器件、5G通信、光电器件、传感器等领域，为科研院所、高校和企业提供从研发到量产的解决方案。公司以自主创新为核心，专家团队在新材料工艺、智能控制等方面持续突破，推动装备性能升级并布局下一代制造技术。依托技术与人才优势，艾科威坚持“技术立企、人才强企”，通过现代化管理与数字化生产提升产品可靠性与服务效率。秉持开放合作、共赢发展理念，公司整合全球资源，打造集研发、转化、生产于一体的创新生态，致力于成为全球领先的半导体设备与系统供应商。
产品介绍
低温氧化炉（量产）
设备概述： 在较低的温度下对半导体材料进行氧化处理，以形成氧化层。这些氧化层在半导体器件中起到绝缘、保护、介质隔离等作用。 设备特点： 温湿度协同精准控制：在中低温环境中实现湿度精确调节，确保氧化过程的均匀性和稳定性。 高成品率工艺保障：通过稳定的温控与工艺设计，提升器件电学绝缘性与光场限制效果。 高可靠性系统设计：设备运行稳定，满足光电器件制备的精密工艺要求。 应用场景： 适用材料：6 英寸及以下晶圆（如硅、氧化铝等基片）。 适用工艺：中低温湿氧氧化工艺（300℃-500℃），用于高质量氧化层制备。 适用领域：集成电路、光电器件、MEMS。
VCSEL湿氧炉（量产）
设备概述： 专为VCSEL器件开发湿氧氧化工艺，构建致密光学限制层与电学绝缘结构；同步兼容通用晶圆表面钝化处理，满足光电与半导体器件的双重工艺需求。 设备特点： 温湿度协同精准控制：在中低温环境中实现湿度精确调节，确保 VCSEL 器件氧化层结构致密。 高成品率工艺保障：通过稳定的温控与工艺设计，提升器件电学绝缘性与光场限制效果。 高可靠性系统设计：设备运行稳定，满足光电器件制备的精密工艺要求。 应用场景： 适用材料：6 英寸及以下晶圆（如砷化镓）。 适用工艺：中低温湿氧氧化工艺（300℃-500℃），用于 VCSEL 器件氧化层制备。 适用领域：光电器件（如垂直腔面发射激光器）制造。
低温氧化/退火炉（量产）
设备概述： 低温条件下下实施精准热处理，消除晶圆界面晶格缺陷，或形成起到绝缘、保护、介质隔离等作用的氧化层。以优化材料电学特性，显著提升器件可靠性与量产良率。 设备特点： 高精度湿度（氧化）温度控制：采用专业温控系统，精准调控中低温区间，有效消除硅片界面缺陷，确保工艺过程的均匀性和稳定性。 高成品率工艺保障：通过稳定的温控与工艺设计，提升器件电学绝缘性与光场限制效果。 先进颗粒污染防控：搭配高效净化技术，减少工艺过程中的颗粒干扰，保障硅片界面质量。 高可靠性系统设计：设备运行稳定，满足光电器件制备的精密工艺要求。 规模化产能设计：单批次处理能力突出，适配科研与批量生产的效率需求。 应用场景： 适用材料：硅、铌酸锂、氧化铝等半导体基片。 适用工艺：中低温氧化/退火工艺（250℃-500℃），用于消除晶格缺陷、优化界面质量或高质量氧化层制备。 适用领域：集成电路、光电器件、MEMS。
高温氧化炉（量产）
设备概述： 用于在硅衬底上形成洁净、致密的SiO2膜层； 应用于CMOS、IGBT、MEMS等器件，常作为隔离层、缓冲层、掩蔽层、牺牲层等使用。 设备特点： 高洁净度腔体环境：采用专业材料与设计，保障氧化膜制备过程的纯净度。 大产能连续作业能力：支持批量晶圆处理，适配集成电路等领域的规模化生产。 高稳定性工艺输出：设备运行可靠，确保氧化膜性能均匀一致。 应用场景： 适用材料：8 英寸及以下晶圆。 适用工艺：高温氧化工艺（800℃-1200℃），用于制备氧化膜（如离子注入阻挡层、绝缘栅材料）。 适用领域：集成电路制造、器件保护层制备。
立式LPCVD（量产）
设备概述： 采用低压化学气相沉积技术，在基片表面生长氮化硅、掺杂多晶硅等功能薄膜，常应用于半导体、光电子、MEMS、太阳能电池等产品领域。 设备特点： 薄膜均匀性优化设计：通过工艺参数调控，实现氮化硅、氧化硅等薄膜的均匀沉积。 高洁净工艺环境构建：腔体设计满足半导体薄膜沉积的高纯度要求。 自动化生产集成：设备适配智能化产线，提升薄膜制备效率与一致性。 适用工艺： 适用材料：8 英寸及以下晶圆。 适用工艺：低压化学气相沉积（LPCVD），用于沉积氮化硅、氧化硅、多晶硅等薄膜。 适用领域：半导体器件薄膜制备、集成电路工艺。
SiC高温激活炉（量产）
设备概述： 面向碳化硅功率器件定制，通过超高温退火修复离子注入晶格损伤并激活掺杂杂质，优化车规级器件的电学性能。 设备特点： 无金属热场创新设计：采用特殊材料构建热场，适配 SiC 高温工艺需求。 长寿命加热系统：设备关键部件耐极端温度，保障高温退火工艺的持续性。 热场材料特殊处理：优化热场性能，满足 SiC 离子注入后激活等高精度工艺。 应用场景： 适用材料：6 英寸及以下 SiC 晶圆。 适用工艺：高温激活退火（1000℃-1900℃）、沟槽平滑工艺。 适用领域：第三代半导体（SiC）器件制造。
质子交换炉（量产）
设备概述： 基于双温区协同机制，在铌酸锂等光学材料中实现质子交换反应，形成低损耗集成光波导结构，支撑高速光子器件制造。 设备特点： 双管立式紧凑结构：节省空间的同时支持双工艺管并行作业，提升效率。 高精度温度均匀控制：针对铌酸锂等材料特性，实现热处理过程的精准控温。 自动化工艺管理：设备集成智能系统，适配高环境要求的质子交换工艺。 应用场景： 适用材料：4 英寸及更小尺寸的铌酸锂晶片。 适用工艺：质子交换工艺（200℃-300℃）、高环境要求的材料热处理。 适用领域：光电器件、传感器基底材料处理。
卧式氧化扩散退火炉（量产）
设备概述： 集成氧化、扩散、退火多功能工艺，支持硅基及宽禁带半导体材料的掺杂调控、界面优化与结构成型，服务晶圆量产核心制程。 设备特点： 多工艺组合灵活配置：支持氧化、扩散、退火等多种工艺切换，适配多样化需求。 成熟稳定的设备架构：经过市场验证的设计，保障长时间可靠运行。 高可靠性工艺输出：满足半导体材料电学特性调控与器件结构制备需求。 应用场景： 适用材料：硅、碳化硅等半导体材料。 适用工艺：高温氧化（形成氧化膜）、热扩散（杂质掺入）、退火（消除晶格缺陷）。 适用领域：集成电路器件结构制备、半导体材料电学特性调控。
卧式LPCVD（量产）
设备概述： 通过低压化学气相沉积技术在基片表面反应生成氮化硅、掺杂多晶硅等固体薄膜，满足器件介质封装与钝化层的大产能沉积需求。 设备特点： 高精度温度协同控制：采用专业温控系统，实现低压沉积环境下的温度精准调控，保障薄膜沉积工艺的稳定性。 规模化产能设计：支持多工艺管并行作业，可满足大批量晶圆薄膜沉积的生产需求，显著提升产能效率。 薄膜均匀性优化工艺：通过气流场与温度场的协同设计，确保确保薄膜均匀性适配半导体高精度要求。 应用场景： 适用材料：8 英寸及以下晶圆、化合物半导体。 适用工艺：低压化学气相沉积（LPCVD），用于沉积氮化硅、氧化硅等薄膜。 适用领域：半导体薄膜制备、集成电路工艺。
磁控溅射镀膜机（量产）
设备概述： 采用先进PVD技术，通过严格控制薄膜厚度与均匀性，高效沉积高致密、强结合力、超高纯净度的功能薄膜，精准满足工艺需求。 设备特点： 高精度温度控制能力：基片台温控适配不同材料薄膜沉积的温度需求。 先进颗粒污染防控：腔体设计减少镀膜过程中的颗粒干扰，提升薄膜纯净度。 大产能与自动化集成：适配批量生产，支持金属、介质等多种材料薄膜制备。 应用场景： 适用材料：硅、化合物半导体、陶瓷、石英等基底。 适用工艺：磁控溅射镀膜，用于制备金属（如 Al、Au）、介质（如 SiO₂、ITO）薄膜。 适用领域：集成电路电极制备、光电器件薄膜沉积。
磁控溅射镀膜机 (多腔室)
设备概述： 通过多腔室集群架构实现全自动薄膜沉积，满足金属电极、光学镀膜及电磁屏蔽层的高一致性量产需求。 设备特点： 独立工艺腔室模块化设计：支持多类型工艺模块组合，实现全流程自动化镀膜。 高靶材利用率与低能耗：优化溅射工艺，降低生产成本的同时提升产能。 高稳定性薄膜沉积：保障金属、介质薄膜的致密性与粘结力，满足高功能需求。 应用场景： 适用材料：8 英寸及以下晶圆、化合物半导体。 适用工艺：多腔室磁控溅射，用于金属、介质薄膜的全自动沉积工艺。 适用领域：大规模集成电路制造、先进薄膜器件制备。
激光封焊机（量产）
设备概述： 采用非接触式激光焊接技术，可在真空或惰性气氛下实现器件的高气密性封装，满足军工级可靠性要求。 设备特点： 高可靠激光源：进口灯泵浦YAG固体激光器，性能稳定。 精密 CNC 工作台：精密导轨 + 交流伺服电机，控制精准。 柔性轨迹编程：可根据工件的形状进行焊接轨迹编程 多工件阵列系统：焊接前进行焊接轨迹模拟演示，实现焊接全程自动控制 多工件阵列系统：支持批量焊接，提升生产效率。 应用场景： 适用材料：可伐合金、不锈钢等金属壳体等； 核心工艺：惰性气体保护激光焊接、气密性封装； 应用领域：TR 组件、传感器、光通讯模块封装。
反应离子刻蚀机(RIE)
设备概述： 基于射频放电原理的干法刻蚀设备，通过物理轰击与化学反应结合实现材料去除，适用于多种半导体材料刻蚀。 设备特点： 数字化智能控制：工艺过程全数字化自动控制，操作简便易上手。 恒压自动控制：反应压力恒定自动调节，保障工艺重复性与稳定性。 可配置 load lock 上料腔：减少大气污染，提升上料效率与腔体真空保持能力。 应用场景： 适用材料：硅、二氧化硅、氮化硅等； 核心工艺：晶体管栅极刻蚀、MEMS 结构加工、接触孔刻蚀； 应用领域：集成电路制造、微机电系统、光电子器件。
离子束刻蚀机(IBE)
设备概述： 采用离子束物理刻蚀技术，适用于难刻蚀材料的高精度加工，尤其在金属、陶瓷等硬脆材料处理上具有独特优势。 设备特点： 双模式工件台：单片式（角度 -90至90°可调）与多片式（圆周旋转），适配科研与量产需求。 水冷低温刻蚀：防止晶片热损伤，适配量子芯片等敏感材料的无损伤加工。 应用场景： 适用材料：金属、陶瓷、化合物半导体、石英等； 核心工艺：硬脆材料刻蚀、纳米结构加工、离子铣削； 应用领域：光电子器件、量子芯片、微纳光学元件。
公司荣誉
联系方式
邮箱：licw@exwellsemi.com
网址：www.exwellsemi.com
往届回顾
第十五届中国国际纳米技术产业博览会举办1场主报告、15场分论坛，分享前沿报告605场，同比增长约26%，以及1场创新创业大赛、3场供需对接会，汇聚了150余位国家级人才，500余位国内外高校院所、企业机构的顶级专家。展区面积25000㎡，吸引全球350余家顶尖企业与机构参展，展示全球纳米技术领域最新技术产品和创新应用2400多件。本届大会累计到场参与总人次近2.75万人次，大会规模创下历史之最，影响力攀升至新高度。
目前，纳博会已成为全球规模最大的纳米技术应用产业领域国际性展会，与日本、韩国、德国、俄罗斯等建立了常态化交流机制。每年，超300家纳米技术产业头部企业选择纳博会，这里不仅是前沿技术的展示窗口，更是企业实现资源聚合、产业协同、未来布局的战略高地。
第16届纳博会
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