英飞凌发布全球首款高电流密度TLVR四相电源模组，赋能下一代AI数据中心
2026年4月1日，德国慕尼黑——全球领先的功率系统和物联网领域半导体企业英飞凌科技（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出基于TLVR（跨电感稳压器）技术的高电流密度四相电源模组TDM24745T。该产品专为应对AI数据中心日益增长的电力需求而设计，支持下一代AI加速器的高效供电。
这款全新OptiMOS™四相电源模组将四个功率级、TLVR电感及解耦电容集成于9 x 10 x 5 mm³的紧凑封装中，实现了高达2 A/mm²以上的电流密度，达到行业领先水平。其设计旨在提升瞬态响应能力，满足高性能GPU和AI处理器对核心供电的严苛要求，同时适用于横向与垂直配电架构。
作为首款将TLVR技术融入紧凑封装的四相模组，TDM24745T可提供高达320 A的峰值电流能力。该产品在AI服务器日益小型化和高效能化的趋势下，展现出显著优势。
电源架构创新推动AI基础设施发展
随着AI数据中心的电力负荷持续上升，对电力系统的要求也愈发严格，包括更高的功率密度、更紧凑的布局以及更强的系统响应能力。TDM24745T通过优化电力架构设计，不仅释放了宝贵的PCB空间以支持更多计算资源部署，还实现了极快的瞬态响应。
借助TLVR架构，该模组可将输出电容需求降低达50%，从而显著减少系统布板面积，提高空间利用率。同时，这种设计也有助于提升能效，降低AI服务器平台的总体拥有成本（TCO）。
融合多项技术，打造AI供电新标杆
TDM24745T结合英飞凌先进的数字多相控制器技术，提供高度灵活且可扩展的供电架构，能够快速适配不断演进的AI应用场景。该模组采用了OptiMOS™-6 MOSFET、芯片嵌入式集成工艺及专有的磁性元件技术，即使在空间受限的AI服务器中，也能实现卓越的效率与热管理性能。
凭借这些技术优势，TDM24745T有助于构建更高效、更环保的AI数据中心，满足未来高性能计算平台对电源系统的严苛要求。
集成式供电生态，实现端到端优化
作为英飞凌端到端AI服务器供电生态系统的一部分，TDM24745T实现了从电网接口到核心处理器供电的全方位覆盖。英飞凌整合硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等多种功率器件技术，为AI数据中心提供全面、可扩展的解决方案，以提升整体系统的功率密度、可靠性与能效。
供货信息
如需了解更多关于TDM24745T OptiMOS™四相电源模组的详细信息，请访问 英飞凌官网。