天成半导体实现14英寸碳化硅单晶材料突破

天成半导体实现14英寸碳化硅单晶材料突破

天成半导体近日宣布，继成功掌握12英寸碳化硅单晶制备技术后，其通过自主研发的晶体生长设备，成功制备出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。这一成果标志着国内企业在大尺寸碳化硅材料领域迈出了关键一步。

（14英寸碳化硅原生晶锭 图源：天成半导体）

此次研发的14英寸碳化硅单晶材料，主要用于制造碳化硅器件中的核心部件，涵盖以碳化硅为基础或复合结构的各类器件结构。此类材料在高功率、高频应用中展现出显著优势。

早在2025年，天成半导体已全面掌握12英寸高纯半绝缘碳化硅与N型单晶的成熟生长工艺，其中12英寸N型碳化硅单晶材料的有效厚度已突破35毫米。该规格材料可广泛适用于新能源汽车、增强现实（AR）眼镜中的光波导系统，以及人工智能芯片的先进封装工艺，特别是在中介层结构中发挥关键作用。