全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试线在上海落成
尼西半导体科技（上海）有限公司在上海松江综合保税区建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。这一成果标志着中国在高精度功率半导体制造领域迈出了关键一步。
35微米的超薄晶圆厚度有效降低了功率芯片的导通电阻和热阻，从而大幅提升了器件的能效和散热能力。这项技术突破为新能源汽车、5G基站等对高功率密度有严苛要求的应用场景提供了重要支撑，也为国产功率器件在高压平台、快充等高端市场实现量产奠定了基础。
产线的顺利运行离不开企业在关键设备研发和工艺控制方面的持续投入。键合机在晶圆与玻璃载片的临时键合过程中，对位误差控制在120微米以内，日处理能力约为400片。研磨设备的加工精度达到0.1微米，整片厚度偏差不超过2微米。激光切割机的切缝宽度仅为11微米，相比传统刀片切割方式，芯片有效面积利用率提高了约10%。解键合环节采用激光分离技术，配合去胶工艺，不仅降低了破片率，还减少了化学品的使用量。从键合到测试的全流程，均配备了专用设备，其中测试环节单日可完成12万颗成品的产出。
在关键设备方面，尼西半导体与国内设备厂商密切合作，联合研发出一系列核心装备，推动了国产设备的技术进步，实现了关键环节的自主可控，填补了国内在该领域的一项空白。