全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试线在上海落成
根据上海松江官方微信号发布的消息，坐落于松江综合保税区的尼西半导体科技（上海）有限公司，已成功建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试产线。
这一厚度级别的突破，有效降低了功率芯片的导通电阻和热阻，显著提升了器件在能效与散热方面的性能表现，为新能源汽车、5G通信基站等高功率密度应用提供了关键支持，同时为国产功率器件进入高压平台、快速充电等新兴市场奠定了量产基础。
该产线的稳定运行，得益于研发团队在关键设备研发方面的持续投入，以及在生产流程中对工艺精度的严格把控。键合设备用于晶圆与玻璃载片的临时粘接，对位误差控制在120微米以内，每日可处理约400片晶圆。研磨设备具备0.1微米级的加工精度，晶圆片内厚度偏差小于2微米。激光切割设备的切缝宽度仅为11微米，相比传统刀片切割方式，芯片利用率提高了约10%。解键合设备采用激光分离玻璃与晶圆，并配备高效去胶工艺，具备较低的破片率和化学品消耗。从键合、研磨、切割到最终测试，各环节均配备了专用设备，其中测试环节的日产能可达12万颗芯片。
值得注意的是，产线中的核心设备由企业工程师与国内设备制造商联合开发，通过协同创新实现了关键装备的国产化突破，有效填补了国内在相关领域的技术空白。